传中芯国际5纳米良率提升至60%-70%

EDA/PCB 时间:2025-07-23来源:
近日,微博账号“定焦数码”爆料称,中芯国际5纳米制程的良率已提升至60%-70%。该传言遭到X账号Jukanlosreve的强烈质疑,称其为编造内容。据Jukanlosreve此前透露,中芯国际计划在2025年前完成5纳米芯片开发,但由于采用深紫外光(DUV)微影设备而非极紫外光(EUV)设备,预计成本将增加50%。
“定焦数码”还指出,中芯国际5纳米良率与三星电子3纳米GAA制程相当。后者已被用于生产Galaxy Z Flip 7搭载的Exynos 2500芯片。然而,Wccftech报道称,基于中芯国际目前的技术进展,Jukanlosreve对传言的驳斥并不令人意外。


关键词: 中芯国际 5纳米 良率

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