电子产品世界

LG 电子已悄然启动成为半导体设备制造商的计划。其生产技术研究所已开始开发为下一代高带宽存储器 （HBM） 量身定制的混合键合机，其内部目标是到 2028 年出货生产单元。混合键合是一种晶圆级连接技术，无需焊料凸块。相反，每个芯片上的铜焊盘被平坦化到纳米级的光滑度，并在室温下压合在一起，形成永久的直接电接触。这种方法可产生更薄的内存堆栈，在更低的温度下运行，并且比使用传统热压缩键合组装的方法提供更快的电气性能。HBM 由紧密堆叠的 DRAM 层组成，目前的封装支持多达 8 层的热压键合。堆叠超过 12 层会导致焊料凸点间距塌陷，这使得混合键合对于更高、更高效的堆叠至关重要。

LG 推动混合键合开发之际，行业领导者 SK 海力士、美光和三星竞相为 NVIDIA、AMD、英特尔、谷歌和亚马逊的人工智能系统供应 HBM4 和 HBM4E 内存，计划于 2026 年推出。为了加速其计划，LG 正在招聘数十名半导体封装博士，并与首尔国立大学合作。该公司将混合粘合视为其在 HVAC 和机器人技术方面现有 B2B 产品的自然延伸。目前，只有荷兰公司 BESI 和美国供应商应用材料公司提供商业混合键合，而且在韩国都没有业务。包括三星的 Semes、Hanwha Semitec 和 Hanmi Semiconductor 在内的本地竞争对手仍处于原型或试点阶段。如果 LG 实现其 2028 年目标，其第一批客户出货量可能与 SK 海力士的 HBM4E 销量增长和三星 HBM4 风险线的推出保持一致。

关键词： LG电子 混合键合 半导体设备市场

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