英飞凌和松下联合开发GaN技术
编者按： 英飞凌和松下联合开发GaN器件，将松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。
英飞凌和松下日前签署一项合作，联合开发GaN器件，该产品是基于松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。
日前，公司将率先推出600V 70mΩ的样片，采用DSO封装。
作为下一代重要的半导体技术，GaN越来越受到重视，主要特点是具备高功率密度小尺寸的特点，另一点则是提高能源效率的一大关键。
一般来说，基于硅上GaN技术的电力设备可用于广泛的领域，从高电压的工业应用，如服务器电源到DC-DC转换的低电压应用等。
IHS预测，GaN功率器件相关市场年复合增长率将超过50%，从如今的1500万美元至2023年的8亿美元。
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