840PRO拆解:高频三核主控+MLC闪存

网络与存储   作者:郑兆远 时间:2012-11-27来源:中关村在线

  ★840PRO拆解:高频三核主控+MLC闪存

  我们对三星840PRO 512GB SSD进行拆解分析,和较早前测试的840系SSD采用的TLC闪存完全不同的是,840PRO采用的是使用寿命更长、速度更快的MLC闪存。

  相同的地方:普及版840系和840PRO采用同样的主控/缓存芯片、PCB板。其内部三大核心部件的改进如下:

  1、三核主控:频率提高和算法改进

  2、MLC闪存:带宽提高2倍以上

  3、高速缓存:低电压、容量翻倍

  

 

  三星840PRO 512GB SSD拆解

  

         

 

  三星840PRO 512GB SSD的PCB正反面特写

  在三星840PRO 512GB SSD的内部PCB主板上,单面即可实现512GB容量,总计8颗64GB容量的三星原厂MLC闪存芯片和SATA I/O主控制芯片。并且配备一颗三星512MB DDR2低电压缓存芯片。

  

 

  三星S4LN021X01-8030 三核ARM主控芯片

  主控方面采用三星研发生产的S4LN021X01-8030 MDX主控芯片,属于ARM架构的Cortex-R4系列三核处理器,具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率,和830系的220MHz MCX三核主控相比,840PRO MDX主控的频率提高到300MHz。

  

 

  三星840PRO 512GB SSD的闪存芯片特写

  闪存方面采用8颗21nm制造工艺的三星原厂的K9PHGY8U7A-CCK0 MLC闪存芯片,单颗芯片容量为64GB。其闪存采用先进的Toggle 2.0 NAND Flash技术,它的带宽提高到400Mbps,而上一代830系SSD则采用Toggle 1.1技术,闪存带宽仅133Mbps。

  

 

  三星840PRO 512GB SSD的缓存特写

  缓存方面,它的PCB板正面搭载有一颗容量高达512MB DDR2低电压高速缓存芯片,为整个SSD的读写提供高速的数据缓冲。对比830系SSD仅256MB的缓存相比,840系SSD的缓存容量提高了一倍。

  我们通过拆解三星840PRO 512GB SSD,了解到这款SSD从主控、闪存、缓存均由三星生产,并且三个核心部件的规格均有一定幅度提高。

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关键词: 三星 硬盘

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