三星有可能在中国建芯片厂

网络与存储 时间:2011-12-08来源:半导体制造

  日前消息称,三星计划投资约35亿美元,在中国开办芯片工厂,并于2013年投入营运。据该公司一份监管档中表示,工厂将采用先进的20纳米技术,生产NAND闪存芯片,但并未透露该座新工厂的地址和具体投资金额。

  如果建厂计划获得中国官方批准,该工厂将是三星继美国德州奥斯汀之后的第2座海外芯片制造工厂,三星还计划在中国建立平板显示屏幕生产基地。

  韩国新韩投资公司分析师金永灿预计,三星将为中国新厂投资4兆韩元(约合35亿美元)至5兆韩元。

  三星表示,已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交申请,后者要求三星需要提出类似申请,主要是担忧有价值的高科技技术外泄。

关键词: 三星 NAND闪存

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