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　　三星刚刚公布其量产8GB DDR3笔记本内存模组的消息，根据计划，三星将为笔记本和移动工作站生产SODIMM接口内存模块，该模块基于40纳米制程，1333MHz频率，1.5V电压，比上一代4GB DDR3模组节电53%，比1.8V DDR2节电67%。

　　这种模组最早将被提供到戴尔Precision M6500移动工作站上，如将插槽插满，共可容下32GB内存。

关键词： 三星 DDR3 40纳米

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