三星终结2D NAND 时代 战略转向锚定 AI 时代高利润赛道
当三星在HBM4时代弯道超车，重新获得英伟达的青睐并可能承接最大份额订单，低利润的2D NAND就成为产能重构下的弃子。
2026 年 2 月末，三星电子宣布将关停其韩国华城工厂 12 号线的 2D NAND 闪存生产 —— 这是三星最后一条 2D NAND 产线，此举标志着自 2002 年开启的平面闪存量产时代正式落幕。这座月产能达 8 万至 10 万片 12 英寸晶圆的产线，将于 2026 年 3 月正式停工并改造为 1C DRAM 后道封测厂，聚焦 DRAM 布线等核心后道工序。这场产能调整并非临时决策，而是三星存储业务向高端化、AI 化转型的关键落子，也成为全球存储行业从传统制程向先进制程全面升级的标志性事件，折射出存储巨头在 AI 时代的战略重构逻辑。
三星的 2D NAND 业务曾书写了行业传奇。2002 年，三星率先实现 1Gb NAND 闪存的全球量产，一举奠定其全球闪存市场的龙头地位，也推动 2D NAND 成为消费电子存储领域的主流技术，广泛应用于 U 盘、存储卡、低端嵌入式设备等场景。2013 年，三星再次引领行业变革，成功量产 3D V-NAND 垂直闪存，开启了 NAND 闪存向垂直堆叠方向转型的新阶段，彼时 2D NAND 的技术局限性已开始显现 —— 相较于 3D NAND，其存储密度低、性能提升空间有限、单位成本高的短板，在消费电子对大容量、高速率存储需求持续提升的背景下愈发突出。
从 2013 年 3D NAND 量产到 2026 年 2D NAND 全面停产，13 年间 2D NAND 的市场需求持续萎缩。如今，2D NAND 仅存于少数低端存储设备市场，需求微乎其微，且毛利率低迷、资产利用效率低下，对三星而言已无战略保留价值。三星在 2025 年四季度的财报电话会议中便明确表示，计划将传统制程产线升级为先进制程产线，停止平面型 NAND 闪存生产是其中核心举措，且早在去年便已将关停计划告知相关客户，为产能调整做好了充分铺垫。
此次三星韩国本土 2D NAND 产能的退出，并非意味着其收缩 NAND 闪存业务，而是通过产能结构优化实现高端化升级，中国西安工厂成为其 3D NAND 产能的核心承接者。目前，三星西安工厂的 NAND 闪存产量已占其全球总产量的约 40%，是三星布局 3D NAND 技术的核心基地。该厂正加速技术迭代，从 128 层的第六代 3D NAND 闪存，向 200 层及以上的第八代 V8 NAND 闪存工艺迈进，同时计划在 2026 年第二季度将西安 X2 产线改造为 280 层 V9 NAND 产线，月产能规划达 4 万至 5 万片晶圆，全力量产下一代高端 3D NAND 产品。三星通过将 NAND 闪存产能向西安工厂集中，既弥补了韩国本土产能缩减的缺口，也实现了 3D NAND 技术的规模化、高端化布局，精准契合 AI 服务器、高端消费电子等领域对高存储密度、高性能 NAND 闪存的需求。
将华城 12 号线改造为 1C DRAM 后道封测厂，是三星锚定 AI 时代存储需求的关键布局，背后是 1C DRAM 市场的爆发式增长与供应瓶颈的双重现实。作为最新一代 DRAM 技术，1C DRAM 是三星第四代高带宽内存 HBM4 的核心制造基底，其晶体管密度更高、能效比更优，且能满足 AI 大模型训练、推理以及数据中心建设对高带宽、低延迟存储的严苛要求，同时三星正将该技术的应用从 HBM 拓展至通用服务器内存领域。目前，1C DRAM 因 AI 产业的拉动需求激增，全球范围内面临显著的供应瓶颈，而三星华城基地原本已具备 DRAM 芯片生产能力，此次产线改造将与现有产线形成协同，大幅提升华城基地整体的 DRAM 生产效率，快速填补 1C DRAM 的产能缺口。
为强化 1C DRAM 的产能布局，三星正加大对华城、平泽两大基地的投资力度，形成 “改造 + 新建” 的双线布局。除华城 12 号线的改造外，原本规划为 DRAM、NAND 闪存及晶圆代工于一体的平泽 P4 工厂，已全面转向 DRAM 芯片生产，成为 1C DRAM 的核心生产基地；华城基地的其他老旧 DRAM 产线也在推进向 1C DRAM 制程的升级。目前三星 1C DRAM 芯片的良率正快速趋于稳定，高温环境热测试良率已达 80%，预计 2026 年 5 月将提升至 90% 的大规模量产关键指标，基于 1C DRAM 打造的 HBM4 良率也已接近 60%，技术成熟度的提升为产能扩张奠定了坚实基础。按照三星的规划，其 1C DRAM 月产能将从 2025 年末的 6 万片提升至 2026 年底的 20 万片，占整体 DRAM 总产量的三分之一。
依托 1C DRAM 技术，三星已在 2026 年 2 月初正式启动 HBM4 的出货工作。这款新一代高带宽内存不仅采用 1C DRAM 技术，基底芯粒还由三星 4 纳米晶圆代工工艺打造，传输速率可达 11.7Gbps，远超 JEDEC 协会制定的 8Gbps 行业标准，且后续可实现 13Gbps 的更高速率。凭借技术优势，三星已敲定与英伟达等核心客户的 HBM4 供应协议，预计 2026 年 HBM 相关业务营收将较去年实现三倍增长，成为三星存储业务的核心利润增长点。
三星的产线调整并非孤例，而是全球存储行业的集体战略转向，其主要竞争对手海力士也在加速 1C DRAM 的投资与扩产，一场围绕 AI 存储的行业竞赛全面展开。海力士将 1C DRAM 月均晶圆产能目标从 2025 年 4 月的 9 万片，大幅提升至如今的 17 万至 20 万片，翻了近一倍；同时推进利川市 M16 工厂的升级，计划 2027 年完成 1a、1b DRAM 产线向 1C DRAM 的改造。此外，海力士在 2026 年 2 月 25 日宣布，将在 2030 年 12 月前向龙仁半导体产业集群首座工厂投资 21.6 万亿韩元（约合 150 亿美元），该工厂总投资规模将增至 31 万亿韩元（约合 215 亿美元），布局重心直指下一代 DRAM 存储芯片与先进 NAND 闪存技术。三星与海力士的密集动作，印证了 1C DRAM 与高端 3D NAND 已成为存储行业的核心发展方向，行业竞争的焦点从传统存储产品转向 AI 时代的高端存储技术。
三星终结 2D NAND 生产、全面布局 1C DRAM 与高端 3D NAND 的战略，背后是存储行业发展逻辑的根本转变，标志着全球存储产业正式进入 “3D 堆叠 + 先进制程” 的 AI 时代。过去，存储厂商的战略更多围绕消费电子、PC 等传统市场的需求波动展开，而如今，AI 成为存储行业的核心增长引擎，数据中心即将超越移动市场成为 NAND 闪存的第一大消费端，HBM 与先进 DRAM 则成为行业增长的核心驱动力。在此背景下，存储厂商不再是单纯应对市场需求波动，而是为人工智能加速、高性能计算及高功耗数据中心工作负载主导的时代重新定位自身，淘汰低毛利、低需求的传统产品，为高增长、高毛利的高端存储产品腾出资源，成为行业共识。
对三星而言，这场战略转型是 “利润优先” 取代 “规模优先” 的关键调整。2D NAND 属于低毛利业务，长期处于薄利甚至微利状态，而 1C DRAM 与 HBM4 作为 AI 时代的核心产品，毛利率显著高于传统存储产品，且需求呈爆发式增长。通过关停低效的 2D NAND 产线，三星盘活了现有洁净室、生产设备等存量资源，相比新建产线，改造旧产线成本更低、周期更短，能够快速实现产能落地。同时，将研发、产能资源集中于 1C DRAM 与高端 3D NAND，也让三星能够更好地应对行业竞争，其目前在 DRAM 市场以 33.7% 的份额位居第二，落后于海力士的 36%，而 1C DRAM 的提前布局，成为三星重夺 DRAM 市场领导地位的关键抓手。
从行业影响来看，三星退出 2D NAND 市场将加速全球 2D NAND 产能的全面出清，推动行业彻底告别平面闪存时代，全面进入 3D NAND 与先进 DRAM 主导的新阶段。对于全球存储市场而言，三星 1C DRAM 产能的扩张将缓解先进内存的供应紧张局面，但也将进一步加剧高端存储领域的行业竞争，美光等其他存储巨头也已开始布局相关技术，行业技术迭代速度将持续加快。而对于国内存储厂商而言，这一调整带来了结构性机遇，三星、美光等海外厂商退出 2D NAND 市场后，国内厂商可承接相关市场份额，同时在利基 DRAM 领域，三星产能向高端倾斜也为国内厂商带来了国产替代的空间。
三星 24 年的 2D NAND 时代落幕，不仅是一家企业的战略选择，更是全球存储行业转型的转折点。这场转型印证了技术迭代的必然趋势，也彰显了存储巨头与行业发展方向同频的战略智慧。在 AI 时代，先进制程 DRAM 与高堆叠层数 NAND 闪存技术，已不再是存储行业的可选方向，而是发展的根本所在。未来，围绕高端存储技术的产能竞争、技术竞争将成为行业主旋律，而率先实现技术成熟与产能规模化的企业，将在 AI 存储的超级周期中占据核心优势。
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