美国政府考虑为三星和 SK 海力士向其中国晶圆厂供应设备发放年度许可证
据《彭博社》报道，国政府似乎正在考虑用年度许可证取代为三星和 SK 海力士的无限期晶圆厂设备出口许可的决定。这一决定将增加显著的监管复杂性，但至少可以维持晶圆厂运营的连续性，这意味着不会扰乱全球 DRAM 和 NAND 存储器的高波动供应。
以前，三星和 SK 海力士在经过验证的最终用户（VEU）状态下运营，这使他们能够根据事先遵守美国安全和监控措施，获得进口受限晶圆厂设备（WFE）到其中国晶圆厂的全面批准，这大大简化了他们的运营。这些许可将于今年年底到期。
作为 VEU 的替代方案，美国商务部最近向韩国官员提出了一种“场地许可”模式。在这种方法下，三星和 SK 海力士每年都需要申请一次，以获得固定设备和材料的许可，并提前指定数量。目的是让晶圆厂继续运营，同时不允许升级或扩建可能增强中国获取先进芯片技术的工厂。
虽然这种妥协可以防止供应链冲击，但韩国官员和执行官们对其僵化表示担忧。设备故障或意外的维修需求可能不在初始许可范围内，如果年中需要新的批准，可能会导致延误。美国官员回应称紧急许可可以快速批准，但行业内部仍存在疑虑。
出口管制政策的变化是在美国工具出口限制之后，美国工具可用于制造使用 16 纳米级或更先进节点的 FinFET 晶体管、半间距尺寸为 18 纳米的 DRAM 和 128 层或以上的 3D NAND 闪存的逻辑芯片，这些工具于 2022 年启动，以限制中国发展先进芯片和计算机。然而，英特尔、三星、SK 海力士和台积电在简化其在中国的晶圆厂运营方面遭到了动摇。
最终，华盛顿希望更好地了解运往中国晶圆厂的货物，即使这些设施归韩国和台湾等盟国公司所有。尽管有反对意见，但年度站点许可证模式可能是最可行的选择。据报道，特朗普官员仍然坚定地反对回归 VEU 框架，他们批评这是拜登时代的漏洞。然而，每年处理数千份个人许可证申请对于政府和公司来说都是不可行的。
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