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市场传闻称，英伟达已开始开发自己的 HBM 基板晶圆，这一举动正在供应链中引起涟漪，因为它可能重塑下一代 HBM 格局。据《商业时报》报道，该芯片预计将基于 3 纳米工艺节点，小批量试生产计划于 2027 年下半年进行。

英伟达的策略和 HBM4 路线图

根据 TrendForce 的分析，这一举措表明英伟达正朝着定制化 HBM 基板晶圆的方向发展，将 GPU 部分功能集成到基板层中，旨在提升 HBM 和 GPU 系统的整体性能。

值得注意的是，根据 TrendForce 的观察，英伟达将在 2027 年上半年首先采用标准 HBM4e——由 SK 海力士在台积电的 12nm 工艺上提供——然后在 2027 年下半年至 2028 年过渡到定制化的 HBM4e 设计，SK 海力士将在台积电的 3nm 节点上支持生产。

行业影响：从内存到 ASIC

商业时报指出，虽然 SK 海力士目前凭借主要采用自研基础芯片设计在 HBM 市场占据主导地位，但要实现超过 10Gbps 的 I/O 速率，需要采用先进的逻辑节点，如台积电的 12nm 或更小的工艺进行基础芯片制造。

报告补充道，由于内存制造商缺乏复杂的基板芯片 IP 和 ASIC 设计能力，报告中引用的消息人士指出，将 UCIe 接口集成到 HBM4 中以实现 GPU 和 CPU 的直接连接将显著增加设计复杂性。

在此背景下，《商业时报》报道，英伟达开发自有 HBM 基板的计划被视为进入 ASIC 市场的战略举措——利用 NVLink Fusion 提供更模块化的解决方案并加强生态系统的控制。

然而，由于 CSP 公司已经投资 ASIC 以减少对英伟达的依赖，该举措对 ASIC 供应商的实际影响可能有限，报道总结道。

与此同时，《商业时报》援引行业内部人士的话称，最大的受益者可能是台积电，其与主要芯片制造商的紧密合作和持续的过程改进使其成为人工智能快速发展的核心。

关键词： 英伟达 内存 HBM4

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