为未来提供动力：宽禁带半导体的兴起
宽禁带半导体，尤其是氮化镓 （GaN） 和碳化硅 （SiC），正在彻底改变电力电子领域。这些材料具有更高的效率、更快的开关和紧凑的设计，对于满足电动汽车 （EV）、超快速充电基础设施和可再生能源系统不断增长的需求至关重要。本文探讨了氮化镓和碳化硅器件的业务繁荣，研究了市场驱动因素、主要参与者，以及这种技术转变如何重塑全球半导体战略和供应链。
为未来提供动力，超越硅
几十年来，硅一直是半导体行业的基石。但电气化、移动化和可持续发展的时代需要更高效、更紧凑的高压电源解决方案，而传统硅则难以应对这些挑战。进入宽禁带 （WBG） 半导体，特别是氮化镓 （GaN） 和碳化硅 （SiC）。
这些材料正在改变电力电子的动态，实现更高的耐压性、更快的开关速度以及更小、更轻的设计。它们的应用涵盖电动汽车 （EV）、快速充电器、太阳能逆变器、数据中心和工业电机。这场革命的核心在于蓬勃发展的全球市场、加强的研发、战略合作伙伴关系以及汽车和能源行业激增的需求。
为什么 GaN 和 SiC 超过硅
GaN 和 SiC 的优势植根于物理学。与硅相比，这些材料具有：
更高的击穿电压
更快的开关频率
更低的传导和开关损耗
更高的导热系数
在相同的额定功率下实现更小的外形尺寸
这些特性转化为更高的效率和可靠性，使 WBG 器件成为高压、高频和高温应用的理想选择。对于空间、重量和能源效率至关重要的电动汽车和超快速充电器来说，这是一个游戏规则的改变者。
市场增长：数字说明问题
根据Yole Group和其他市场分析师的说法：
SiC 器件市场预计将从 2023 年的 25 亿美元增长到 2028 年的 80 亿美元以上，这主要是由电动汽车牵引逆变器和车载充电器推动的。
到 2027 年，氮化镓功率器件市场预计将达到 20 亿美元，这得益于消费电子产品、5G 功率放大器和紧凑型快速充电器的推动。
仅在电动汽车动力总成中，SiC 正在迅速取代牵引逆变器中的 IGBT 和硅 MOSFET，从而显着提高续航里程并减少热损耗。
电动汽车：主要增长引擎
全球向电动汽车的转变可能是采用世界银行集团的最强大催化剂。电动汽车逆变器、DC-DC 转换器和车载充电器中的传统硅器件正在被 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 所取代，这些 MOSFET 和 GaN HEMT 可提供更高的效率和更快的充电速度。
牵引逆变器中的 SiC 可减少 50% 的能量损失，并将行驶里程增加多达 10%。特斯拉是第一家在其 Model 3 中部署基于 SiC 的逆变器的主要汽车制造商，其他公司也纷纷效仿：
Lucid Motors 在其专有的 Wunderbox 充电系统中使用 100% SiC。
比亚迪、现代和大众正在将碳化硅纳入其电动汽车平台。
瑞萨电子、英飞凌和意法半导体都推出了针对电动汽车应用的下一代 SiC MOSFET 和模块。
GaN虽然在牵引系统中仍处于新兴阶段，但在车载充电器和DC-DC转换器中被证明是有价值的，具有紧凑的外形尺寸和低EMI。
快速充电器和电力基础设施
为了支持电动汽车的普及，世界需要一个强大的直流快速充电器网络。这些必须快速安全地提供高功率（100 kW 及以上），同时将能量损失降至最低。GaN 和 SiC 可实现高频作，从而减小磁性和冷却系统的尺寸和成本。
SiC 因其坚固性和热性能而在高压 （>600V） 快速充电站中占据主导地位。
氮化镓在 Anker、小米和苹果等品牌的 AC-DC 转换器和消费级快速充电器（高达 240W）中越来越受欢迎，例如用于笔记本电脑和智能手机的充电器。
基于 GaN 的充电器更小、更轻、更高效，因此对便携式电子产品和住宅电动汽车充电器都具有吸引力。
行业领导者和市场推动者
WBG 市场正在迅速变得具有战略性和竞争性，传统半导体巨头和新兴初创公司都在大力投资：
SiC 市场领导者：
Wolfspeed（前身为 Cree）：作为 SiC 晶圆和器件的先驱，Wolfspeed 正在纽约建造一座耗资 50 亿美元的新 SiC 晶圆厂，以满足全球需求。
意法半导体：获得Wolfspeed的长期SiC晶圆供应，并正在扩大其STPOWER产品组合。
英飞凌科技：推出CoolSiC器件，并建立了专门的SiC制造能力。
ROHM Semiconductor：专注于汽车级 SiC，为 Lucid Motors 等主要参与者供货。
安森美半导体：收购了用于SiC晶体生长的GT Advanced Technologies，并正在扩大端到端能力。
氮化镓市场参与者：
纳微半导体：纯氮化镓公司，提供移动和工业快速充电器。
GaN Systems（被英飞凌收购）：提供用于汽车和工业用途的高性能 GaN 功率晶体管。
电源集成：将 GaN 集成到紧凑型充电器 IC 中。
Transphorm 和 EPC：在高压和低压 GaN 领域竞争。
主要代工厂和 IDM 正在形成生态系统联盟，投资硅基氮化镓和碳化硅晶圆技术，并签署长期供应合同以确保高纯度碳化硅衬底等原材料。
供应链和产能限制
尽管令人兴奋，但供应链限制仍然是一个瓶颈，尤其是对于碳化硅片来说，碳化硅片比传统硅更难生产且更昂贵。目前的工作包括：
垂直整合：Wolfspeed 和 ST 等公司正在投资自己的晶圆增长能力。
8 英寸 SiC 晶圆开发：随着时间的推移，从 6 英寸晶圆转向 8 英寸晶圆将提高吞吐量并降低成本。
政府激励措施：美国、日本和印度等国家正在为世行集团晶圆厂投资提供补贴。
未来几年将决定产能是否能够足够快地扩展以满足汽车和工业需求。
经营战略：多元化与差异化
公司正在利用 WBG 的采用来实现投资组合多元化、开拓新市场并从竞争对手中脱颖而出。策略包括：
共同封装模块：将 SiC/GaN 与驱动器、传感器和控制电路集成。
设计服务：为 OEM 提供系统级工程支持。
长期合同：通过与汽车制造商和一级供应商的多年协议锁定收入。
初创公司还在使用 WBG 设备开发新架构，例如双向充电器、无线电动汽车充电和集成电机驱动。
印度角度：人们对世界银行集团的兴趣日益浓厚
印度的半导体使命已经开始认识到 WBG 半导体在电动汽车和能源基础设施中的重要性。主要发展包括：
塔塔的半导体和电动汽车协同作用，可能涉及内部电力电子开发。
Log 9 Materials 等本地初创公司致力于基于 GaN/SiC 的充电器和电池组。
印度理工学院马德拉斯分校和IISc等机构的学术研发专注于SiC器件研究。
预计印度将在未来 5-10 年内成为一个区域市场，并有可能成为 WBG 组件的低成本制造中心。
结论：战略拐点
氮化镓和碳化硅半导体不仅仅是技术升级，它们还是电动、互联和可持续未来的战略推动者。从扩展电动汽车续航里程到实现紧凑、超高效的快速充电器，WBG 设备正在为各行各业树立新的标杆。
随着全球电气化需求的增长，早期投资、建设产能并在WBG中建立牢固合作伙伴关系的半导体公司将引领电力电子的下一个十年。对于半导体行业来说，硅时代可能还没有结束，但宽带隙时代肯定已经开始。
关键词： 宽禁带半导体
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