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据悉，三星电子经营高层日前做出决定，将升级位于中国西安的 NAND 闪存工厂，为完成工厂制程升级已下单采购最新半导体设备，或将于今年年底开始引进新设备。西安工厂是目前三星电子位于海外的唯一内存芯片生产基地，2014 年开始投产，经 2020 年扩建二期项目后，目前每月生产 20 万张 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 闪存生产基地，占三星电子 NAND 芯片总产量的 40% 以上。三星电子计划明年在西安工厂内部署生产 236 层（第 8 代）NAND 芯片的设备，并依次完成工艺转换。

2022 年 11 月，三星电子宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子当时没有公开芯片的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。

三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示：「由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数，三星采用了先进的 3D 压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。」

为什么对西安工厂进行升级？

三星电子对西安工厂进行升级的原因大致出于两方面的考虑，在全球 NAND 闪存市场未出现明显回暖迹象下，三星电子欲维持全球龙头老大的地位。从去年底开始，全球 IT 市场尤其是半导体景气不振，三星电子在 NAND 业务上也持续低迷，加上未能出货的库存积压，赤字不断扩大。

今年三季度，三星电子设备解决方案（DS）部门亏损推测为 3 万亿韩元以上，其中 2 万亿韩元亏损来自 NAND 业务。虽然三星电子持续减产，但对业绩的改善效果不及预期，因此决定升级工艺制程。通过生产最新第 8 代产品不仅可确保价格竞争力和市场需求，且相比于第 6 代产品，第 8 代产品所需芯片减少 30%，可起到自然减产效果，符合市场需求保持供需平衡。

三星电子自今年 4 月宣布减产后，第 6 代（128 层）V-NAND 主产地西安工厂开工率大幅降低。业内判断此时为升级工厂的最佳时机，西安工厂 236 层 NAND 工艺趋于稳定后，将逐渐减少现有生产线。其次，美方日前同意向三星电子和 SK 海力士提供半导体设备，令这两家半导体大厂得以喘息。

一位业界人士称，三星西安工厂扩建虽然仍有困难，但在进行设备维护或工艺转换方面不会存在太大问题，虽然因工艺升级设备数量增加，芯片的投入量和产能会有所降低，但出货量仍保持稳定。业内预测三星电子 DS 部门有望于明年上半年实现扭亏为盈，今年前两季度，该部门均出现 4.5 万亿韩元左右的亏损，三季度收窄至 3 万多亿韩元。尤金证券市场调查负责人李胜宇称，由于减产效果逐渐显现，库存量明显减少，价格将持续反弹，三星电子业绩有望得到改善。

此外，在存储市场经历了长时间的低迷后，NAND 也终于迎来了它的涨价周期。

NAND 开始涨价

据悉，三星内部认为目前 NAND Flash 芯片供应价格过低，计划在今年第四季度将 NAND Flash 芯片价格调涨 10％以上，且最快自 10 月开始涨价。

据了解，三星上月已与小米、OPPO 及谷歌等客户签署了内存芯片供应协议，DRAM 和 NAND Flash 芯片价格较之前合同价格上调 10%-20％。三星还预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

今年以来，三星一直奉行减产战略。最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年开始着手大幅削减 NAND Flash 芯片的产量。此次调涨 NAND Flash 芯片合约价格，是三星电子继先前宣布 NAND Flash 芯片减产后，企图提振 NAND Flash 芯片价格的最新策略。SK 海力士、美光等大型芯片厂商调整了其 NAND 产品的价格，合约价至少上涨了 10%。

关键词： 三星电子 NAND