电子产品世界

作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。

三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。"

通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口^*的三星第8代V-NAND，其输入和输出（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星第8代V-NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩展下一代企业服务器的存储容量，同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。

*编者按：Toggle DDR接口版本——1.0（133Mbps）、2.0（400Mbps）、3.0（800Mbps）、4.0（1200Mbps）和5.0（2400Mbps）

关键词： 三星 V-NAND 存储密度

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