电子产品世界

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性^[1]之间的平衡也得到了进一步的改善^[2]。因此，新产品可提供业界最低^[3]功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。

应用：

●   开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）

●   电机控制设备（电机驱动等）

特性：

●   业界最低^[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）

●   业界最低^[3]导通电阻：

R_DS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠V_GS=10V（TPH2R40QM）

R_DS(ON)=19mΩ（最大值）＠V_GS=10V（TPN19008QM）

●   高额定通道温度：T_ch=175℃

主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号				TPH2R408QM		TPN19008QM
绝对最大 额定值	漏源电压VDSS（V）			80
	漏极电流 （DC）ID（A）		@Tc=25℃	120		34
	通道温度 Tch（℃）			175
电气特性	漏源导通电阻 RDS(ON)  最大值（mΩ）		@VGS=10V	2.43		19
			@VGS=6V	3.5		28
	典型值	总栅极电荷（栅源+栅漏）  Qg 典型值（nC）		87		16
		栅极开关电荷 Qsw（nC）		28		5.5
		输出电荷 Qoss（nC）		90		16.5
		输入电容 Ciss（pF）		5870		1020
封装	名称			Advance	SOP	TSON
	尺寸典型值（mm）			5.0×6.0		3.3×3.3

关键词： 效率 产品线