英特尔10nm设计规则初定 EUV技术恐错失良机
针对10nm节点，英特尔希望在非关键层使用193nm浸入式技术，以及在更复杂和更精细的线切割步骤中使用EUV。“在这些步骤中，EUV是我们的首要选择，”他说。如果EUV尚未就绪，那么英特尔很可能会使用无光罩或193nm浸入式技术来处理线切割步骤。
英特尔也已大致确立了其10nm设计规则，它将是基于1D单向、栅格式的设计。但难题是：英特尔的10nm设计规则必须以EUV或是193nm浸入式方案其中一种为主，他表示。
EUV显然赶不及英特尔的10nm节点设计规则定义时程了，他说。据报导，英特尔已开始制定基于193nm浸入式和多重曝光(multiple-patterning)的设计规则。
当EUV工具就绪，英特尔可能会回头重新定义设计规则。因此，实际上EUV仍有可能用于10nm节点。但若工具没有准备好，英特尔就必须寻求其他的选择。该公司的10纳米设计规则将正式在2013年第一季抵定。
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