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　　三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。

　　这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代产品降低35%，能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。

　　三星指出，目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条，总容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，内存子系统功耗可达210W，换成40nm 2Gb DDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm 4Gb DDR3会进一步降至仅仅36W，也就是节能83%之多，相当于为每套服务器系统节约10%的功耗。

　　由于单颗芯片容量翻番，4Gb DDR3芯片的量产也能大大推动单条32GB内存条的普及。

　　三星从去年七月开始引入40nm级别的DDR DRAM生产工艺，并计划将该工艺的生产比例逐渐提高到90%以上。

关键词： 三星电子 40nm DDR3