功率MOSFET的保护 时间：2007-12-13来源：电子元器件网 功率MOSFET的薄弱之处是栅极绝缘层易被击穿损坏，栅源间电压不得超过 关键词： 功率MOSFET 保护 半导体材料 加入微信获取电子行业最新资讯搜索微信公众号：EEPW或用微信扫描左侧二维码 相关文章 两个集成电路相关项目传新消息 EDA/PCB 2024-05-10 Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷 电源与新能源 2024-05-07 SEMI报告：2023年全球半导体材料市场销 EDA/PCB 2024-05-06 P通道功率MOSFET及其应用 电源与新能源 2024-04-21 高电压？高电流？未来新能源汽车充电技术如何选 汽车电子 2024-04-15 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO1 汽车电子 2024-04-12 3亿美元！AAMI滁州生产基地落成投产 嵌入式系统 2024-03-26 新美光（苏州）半导体科技有限公司项目拿地即开 嵌入式系统 2024-03-22 查看电脑版
