英特尔闪存生产工艺将向65nm过渡
美国英特尔2007年8月21日宣布，NOR闪存生产工艺将向65nm过渡。计划2008年上半年面向客户供应样品。该公司的闪存主要面向手机及数字家电等产品。该公司表示，生产工艺向65nm过渡将有利于提高性价比。
英特尔的闪存产品包括低成本产品“StrataFlash嵌入式存储器”和“嵌入式闪存”以及串行产品“串行闪存”等。
英特尔的闪存产品包括低成本产品“StrataFlash嵌入式存储器”和“嵌入式闪存”以及串行产品“串行闪存”等。
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