飞兆半导体在PCIM China 2007上展示获公认的电源设计“解决方案策略”
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 在2007年3月21至23日于上海举行的PCIM China展会上展示其公认的技术和设计专业能力。飞兆半导体在W1 展览厅的1200号展台上,展出了能够提高系统效率和性能、并节省电路板面积和缩短设计周期的功率产品。其中包括业界范围最宽的集成SPMTM器件,可在电机逆变器设计中优化性能和节省空间;高能效镇流器IC,用于HID、LED、CFL 和 LFL照明系统;以及一系列业界领先的器件,能够满足计算和消费市场对降低功耗不断增长的要求。
在PCIM China 2007展会上,郭裕亮将与活跃于中国市场的各大跨国电子公司代表,参与中国电子市场高峰论坛。该论坛的主要议题是“能源效率”,其目标是建立一个交换信息和经验的交流平台,塑造中国电子产业的辉煌前景。
此外,在此次展会上飞兆半导体的技术专家还将发表以下文章:
“环境职责:半导体供应商如何协助满足中国的能效规范和自愿规范”,作者:Louise Merriman、Jeff Ju
“电源模块中的高功率密度”,作者:Alan Elbanhawy
“用于同步整流、AC/DC和DC/DC应用带有低Trr和Qrr的低Qgd 200到250V UltraFET沟道MOSFET”,作者:Praveen Shenoy、Bob Brockway
“安装高度变化对DC-DC 转换器FET 峰环电压的影响”,作者:Arthur Black、Carlo Ocampo
在PCIM China 2007展会上,郭裕亮将与活跃于中国市场的各大跨国电子公司代表,参与中国电子市场高峰论坛。该论坛的主要议题是“能源效率”,其目标是建立一个交换信息和经验的交流平台,塑造中国电子产业的辉煌前景。
此外,在此次展会上飞兆半导体的技术专家还将发表以下文章:
“环境职责:半导体供应商如何协助满足中国的能效规范和自愿规范”,作者:Louise Merriman、Jeff Ju
“电源模块中的高功率密度”,作者:Alan Elbanhawy
“用于同步整流、AC/DC和DC/DC应用带有低Trr和Qrr的低Qgd 200到250V UltraFET沟道MOSFET”,作者:Praveen Shenoy、Bob Brockway
“安装高度变化对DC-DC 转换器FET 峰环电压的影响”,作者:Arthur Black、Carlo Ocampo
关键词: 2007 China PCIM 电源技术 电源设计 飞兆半导体 解决方案策略 模拟技术 模拟IC 电源

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