安森美半导体过压保护IC用于便携充电
安森美半导体推出的NCP346过压保护电路，采用强化BiCMOS工艺制造，可在少于1ms内关断一系列PFET且可承受高达30V的过压瞬变(或25V稳态电压）。此器件的检测临界为4.45V 或5.5V，具有优良的电压能力且关断速度比标准CMOS监测电路更快，适用于手机、数字相机、便携计算机、PDA和便携式CD播放机。 www.onsemi.com
关键词： 安森美
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安森美半导体推出的NCP346过压保护电路，采用强化BiCMOS工艺制造，可在少于1ms内关断一系列PFET且可承受高达30V的过压瞬变(或25V稳态电压）。此器件的检测临界为4.45V 或5.5V，具有优良的电压能力且关断速度比标准CMOS监测电路更快，适用于手机、数字相机、便携计算机、PDA和便携式CD播放机。 www.onsemi.com