电池采样电路异常排查:PMOS 管耐压问题解析
在电子电路设计与调试的过程中,常常会遇到各种令人头疼的问题,正所谓 “电路和我有一个能跑就行,电路不跑我就跑”。这次,我们就来深入探讨一起电池采样电路异常的案例,看看其中隐藏着怎样的玄机。
问题描述
某产品的电池采样电路样机出现了概率性的异常情况,大约有 40uA 额外的漏电流,具体表现为五台样机中就有一台出现这种现象。经过细致的排查,问题最终定位到了 PMOS 管上,并且发现更换 PMOS 管能够解决这个问题。该电路的原理图如下所示:
图 1 电池采样电路原理图
原理图分析
当 ADC_EN 为高电平时,NMOS 管 Q20 导通,进而使得 PMOS 管 Q19 导通,此时 ADC1 能够采集得到 VIN 的电压,根据电路原理,ADC1 的电压值近似为 VCC * 4.7K / 104.7K。而当 ADC_EN 为低电平时,NMOS 管和 PMOS 管均处于关断状态,按照理论分析,此时在 R66 和 R67 上不应该有漏电流,这也是低功耗电路设计的基本要求。
图 2 电路状态分析
然而,实际情况却与理论分析不符。在 Q19 截止的时候,仍然会出现 40uA 的漏电流,这显然是电路存在异常的表现。
原因分析
为了找出问题的根源,设计人员经过仔细与群友核对 VIN 电压后,发现 VIN 对应的电池电压为 12V,并且当电池充满电后,其电压会更高,大于 12V。进一步调查发现,这个原理图是从 4.2V 的锂电池采集电路里直接拷贝过来的。
当 NMOS 管导通后,PMOS 管两端的 VGS 电压几乎等同于 VIN,也就是大于 12V。而该电路中采用的 PMOS 管型号为 AO3401,其 VGS 耐压绝对最大值为 ±12V。结合之前更换 PMOS 管能够解决问题的现象,可以推测是 PMOS 管的 VGS 过压导致其内部受到损伤,从而产生了额外的漏电流。
图 3 PMOS 管电压分析
解决方案
针对上述问题,我们可以采取以下几种解决方案:
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