三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产
时间:2026-06-03来源:TrendForce
在Computex 2026电脑展上,三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5,并首次公开推出了HPB(Heat Pass Block,导热块)散热方案。
据《朝鲜日报》等韩媒报道,三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5,预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术。
具体而言,HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构,通常由铜基材料制成,其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。
“通过增加一个类似烟囱结构的独立传热路径,我们降低了芯片运行温度,提高了运行稳定性,”三星电子首席技术官宋载赫表示:“预计未来它将在高带宽、高密度人工智能环境下,对提升下一代HBM的性能和系统效率发挥关键作用。”
宋载赫声称,HPB技术已在HBM4E芯片中得到应用和验证,其可靠性和稳定性均已得到充分验证。
值得一提的是,作为技术验证的必要环节,此前三星电子已在Exynos 2600芯片中引入HPB技术,可使该处理器的散热性能相比上代提升30%,意味着该散热技术拥有进入移动处理器市场的潜力。
关键词: COMPUTEX2026 三星 HBM5 HPB
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