台积电全力冲刺超先进制程，启动1纳米产能布局
台积电正式推进 1 纳米芯片量产规划,人工智能热潮倒逼台积电全速扩产
首批 2 纳米芯片组定于今年正式面世，目前多数企业均选择采用台积电 N2、N2P 先进制程，但这仅是精密芯片制造进程的开端。据悉，这家中国台湾半导体巨头已突破 2 纳米以下制程壁垒，全面启动1 纳米工艺的前期筹备工作，这也意味着三星及其高端先进制程业务将迎来巨大竞争压力。
台积电共计 12 座晶圆厂同步动工建设，同步筹备 1 纳米技术研发，提前布局应对长期爆发式市场需求
尽管当下晶圆代工行业整体面临供货紧张问题，台积电仍持续调整扩充产能，力求承接海量客户订单，同时拉开与竞争对手三星的差距。据《电子时报》消息，目前台积电共有 12 座新工厂处于在建阶段，将集中投产 2 纳米、A14（1.4 纳米）等多款先进制程工艺，而业界最为关注的，当属台积电面向 1 纳米芯片制造的全域扩产布局。
不过 1 纳米芯片暂无法提前实现量产，按照规划，台积电龙潭三期扩建项目的土地筹备工作预计 2029 年才正式启动，这也预示其 1 纳米芯片最快 2030 至 2031 年才能进入大规模量产阶段。业内分析认为，三星在先进制程领域的发力布局，也倒逼台积电提前敲定研发投产计划，抢占行业领先优势。
作为对标对手，韩国半导体巨头三星同样计划在 2029 年启动 1 纳米晶圆量产，且在美 2 纳米芯片工厂落地进度已领先台积电。但三星当下最大发展阻碍并非新一代制程研发进度，而是良率稳定难题。此前行业报告指出，即便三星已实现 2 纳米芯片投产，在客户眼中依旧只是台积电的备选代工厂，无法成为主力合作方。
若三星无法快速提升芯片制造良率，这一行业定位将难以扭转。这也是外界获悉三星打算长期深耕 2 纳米工艺的核心原因 —— 三星希望稳住该制程光刻工艺水准，争取吸纳更多客户订单，以此削弱台积电一家独大的行业垄断地位。从双方现阶段发展节奏来看，三星仍存在不小追赶差距，毕竟台积电有望在数年内率先落地 1 纳米大规模量产。
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