三星电子重启半导体技术研发
据韩媒ETNews报道，三星电子设备解决方案（DS）事业部正计划重启下一代半导体技术的研发与设施投资，重点布局下一代NAND闪存、化合物半导体以及先进封装和基板三大领域。这标志着三星在存储业务逐步稳定后，开始加速中长期技术的战略部署。
此前，三星因集中资源修复DRAM和HBM业务的竞争力，暂缓了部分新业务的推进。随着2024年下半年存储市场需求回暖，DRAM良率和HBM产能利用率显著提升，存储业务重回正轨，为新技术研发腾出了资源。
在下一代NAND闪存领域，三星正全力推进V10 NAND的研发，目标是将堆叠层数提升至400层以上，较目前量产的286层V9 NAND实现显著突破。这一技术将大幅提升单晶圆存储容量，满足AI时代对高密度存储的需求。自2024年4月V9 NAND的TLC版本量产后，三星的闪存技术迭代一度停滞，此次重启研发将重新确立其技术领先地位。
化合物半导体方面，三星正加速推进氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）产线的建设。其中，8英寸GaN产线计划于2026年第二季度投产，而SiC产线则预计在2028年实现量产。目前，三星已启动供应链搭建和设备采购，计划投入1000亿至2000亿韩元采购MOCVD等关键设备，以抢占新能源汽车和储能市场的功率半导体机遇。
此外，三星还将重点发展先进封装及基板业务，同步推进封装技术研发和配套基板产能规划，以满足HBM与逻辑芯片整合的需求，进一步巩固其在AI芯片封装领域的竞争优势。
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