三星加速布局第三类半导体，8寸GaN产线预计2026年投产
据韩媒Theelec援引业界消息，三星电子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半导体市场，其8寸氮化镓（GaN）晶圆代工产线已进入量产前准备阶段，预计最快将于2026年第2季正式投产。这一进展标志着三星在功率半导体领域迈出重要一步。
三星方面对GaN晶圆代工产线的具体启动时间和客户进展保持谨慎态度，仅回应称“无法确认”。不过，据业界透露，三星自宣布进军功率半导体代工市场以来，已历时3年，近期完成了量产技术与客户布局。尽管初期客户数量有限，市场预估GaN晶圆代工年营收规模可能低于1,000亿韩元（约合6,700万美元），仍处于市场导入与培养阶段。
三星采取了一站式解决方案（turnkey）的商业模式，涵盖制程、制造及部分后段流程，从而提升毛利率与服务整合能力。值得注意的是，三星并未选择外购晶圆，而是自行生产，这表明其已突破GaN量产关键材料技术瓶颈，进一步强化了成本与供应链的掌控能力。
从产业竞争来看，韩国其他企业也在加速布局GaN市场。DB HiTek预计于2026年下半年启动GaN晶圆代工量产，时间上落后三星1~2个季度。SK海力士（SK Hynix）旗下的晶圆代工业务也将GaN列为重点发展方向，尽管距离实际量产仍需时间，但韩系厂商正同步抢进第三代半导体市场。
技术层面而言，功率半导体主要分为GaN与碳化硅（SiC）两大路线，均属于宽能隙材料。相较于传统的硅（Si），宽能隙材料具备更高的耐压与高温特性，能有效降低能量损耗并提升转换效率。GaN主要应用于1,200V以下场景，如手机快充、数据中心与电动车（EV）电源系统；而SiC则适用于更高电压环境，如电动车主驱逆变器等。
随着人工智能（AI）数据中心功耗的快速攀升，GaN的重要性持续提升。新一代AI基础设施逐步导入800V高压直流（HVDC）供电架构，需通过高效率电源转换模块将高压直流转换为服务器内部低压电源。GaN元件凭借高速切换与高功率密度优势，可有效降低能量损耗与散热需求，成为关键电力转换技术之一。
回顾三星的布局，2023年曾宣布预计2025年启动功率半导体晶圆代工，但实际进度略有延后。业界分析，晶圆代工产线通常需先有客户订单后再进行投资决策，三星在2025~2026年间逐步取得订单后，才正式启动量产计划。
此外，三星同步推进SiC业务，预计最快2026年启动晶圆代工，锁定1,200~1,700V高压应用市场。与GaN不同，SiC将采取从设计到封装的完整垂直整合模式，显示三星试图在不同电压等级市场建立差异化布局。
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