HBM刻蚀设备据称将进入超级周期
在存储行业深陷人工智能（AI）驱动的繁荣浪潮之际，各大存储厂商正一致将战略重心转向具备高带宽、大容量、低功耗特性的 AI 导向型存储解决方案。随着高带宽内存（HBM）的需求持续激增，部分厂商 2026 年的 HBM 产能已被完全预订一空，这一趋势将使 HBM 相关设备供应商直接受益。
由于 HBM 采用多层堆叠式 DRAM 架构，其堆叠层数会随性能需求不断增加。这一特点导致芯片间互连工艺更趋复杂，同时显著增加了所需的加工步骤。
除国际设备巨头外，中国设备供应商也在积极布局 HBM 设备领域，产品覆盖刻蚀、沉积、键合、检测等多个细分环节。
北方华创（NAURA）可提供 HBM 芯片制造所需的一系列核心设备，包括深硅刻蚀、薄膜沉积、热加工、湿法清洗及电镀设备。
中微公司（Maxwell）表示，其高选择性刻蚀工具和混合键合设备可应用于 DRAM（HBM）工艺。该公司的刻蚀与薄膜沉积设备已在存储芯片和逻辑芯片制造中获得广泛应用。
至纯科技（U-Precision）提供的化学机械抛光（CMP）设备、减薄设备、划片设备及边缘抛光设备，是 HBM、晶圆级系统集成（CoWoS）等芯片堆叠与先进封装工艺的关键核心设备，已获得多家头部客户的广泛采用。
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