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摘要

嵌入式系统与智能设备的普及，使物理内存泄露攻击风险上升。传统“冷启动攻击（cold boot）”依赖 DRAM 在低温下的跨断电保留特性；然而，在 SoC 上的片上 SRAM通常被视为更安全。本文表明：在大量商用 SoC 上，电源域分离配合外部电压探针可以人为保持 SRAM 的数据保持态，即使系统整体断电，也能在重启后无误提取缓存、iRAM 等片上数据。我们将该方法称为 Volt Boot。其关键并非温度或制程，而是电源域架构与对外暴露的供电引脚/测试焊盘。基于树莓派与 NXP i.MX 等平台的实验，我们给出攻击前提、步骤、可达性与局限，并提出面向芯片与系统的缓解策略。

1 背景与动机

1.1 从 DRAM 冷启动到 SRAM “不怕冷”

冷启动攻击通过人为降温，维持 DRAM 在断电后的短暂数据保持，从而在二次上电时转存密钥与残留数据。与之不同，SRAM 的信息由双稳态触发器维持，温度‑依赖性弱且泄放服从统计分布，简单的“低温+掉电”并不实用。然而，现代 SoC 出于能效与面积考虑，普遍采用电源域分离与专用供电引脚（电源门控、分域降压），这无意中提供了让**部分片上存储在系统断电时仍“活着”**的条件。

1.2 威胁模型与现实性

攻击者具备物理接触设备主板的能力（常见于维修、回收、边检取证、企业资产处置等场景），可在 PMIC 附近的测试点/去耦电容焊盘上接入电源探针；攻击不依赖低温、显微操纵或制程差异，与工艺节点基本无关。

2 攻击总览：Volt Boot

核心思想：利用 SoC 的电源域分离，在系统断电期间，向目标 SRAM 域施加外部恒定电压（高于其数据保持电压、低于额定电压），使其跨掉电保持数据。随后重新上电并优先转存该域中的数据（如 L1D/L1I、寄存器文件、iRAM），实现对明文密钥与敏感状态的窃取。

为何有效：

• SRAM 普遍且以明文存储：片上 SRAM 通常不加扰/不加密；即便外部 DRAM 已做加扰或内存加密，SRAM 内仍为明文。

• 域专有供电引脚可被“借路”：BGA 封装难以直接焊线，但域供电引脚通常连接到临近的去耦电容或测试焊盘，且布局有规律，可在板级找到等效注入点。

• 默认不清零：大多数 SoC 出于启动速度与**安全原语（PUF/TRNG）**考虑，不会对大容量 SRAM 做全清零；cache “清空/失效”只改元数据，数据本体仍在，且可通过协处理器接口在高权限级读出。

3 试验平台与可达性

我们选择三种广泛可得的评估平台：

• Raspberry Pi 4 / 3（Cortex‑A 系）——目标为 L1D/L1I/寄存器文件，域电压名义值约 0.8 V；

• NXP i.MX53 ——目标为片上 iRAM，域电压名义值约 1.3 V。

板级注入点：在 PMIC 区域附近可找到标注为 TPxx 的测试焊盘（如 RPi4 的 TP15）或去耦元件两端作为注入点。我们在这些位置测量名义电压并并联外部稳压源。

电流行为：以 RPi4 为例，在 0.8 V 探针下，设备在掉主电后最初吸取 400–600 mA（与负载相关），数微秒后下降到约 8 mA 并进入长期保持。

4 实施步骤（可复现流程）

步骤 1：定位域供电等效注入点

优先在 PMIC 附近寻找与目标域相连的测试焊盘或去耦电容焊点；遵循“靠近 PMIC、走线短”与“布局成簇”的规律。无需精确到封装内引脚，板级等效点足够。

步骤 2：并联外部电源，设定保持电压

将外部可编程电源并联到注入点，电压设为名义电压或略低，但需高于 SRAM 数据保持电压（通常明显低于名义值）。保证电源具备足够电流与瞬态响应以覆盖掉主电瞬间的吸流峰值。

步骤 3：断开主电源并“跨掉电保持”

切断设备主供电，保持外部探针向目标域供电。此时其他域下电，目标 SRAM 仍处保持态。

步骤 4：受控启动并最小化污染

重新上电并引导到外部介质（如 USB），以减少启动过程中对目标 SRAM 的写入/替换。随后运行特制的数据转存程序：

• Cache 提取：在 ARMv8/ARMv7 上利用协处理器/系统寄存器指令（如 CP15、SYS #0, c15, c4, #0, 等 RAMINDEX 访问），配合 DSB SY/ISB 栅栏，逐线读出 L1 到通用寄存器；

• 搬运：将寄存器内容写入 DRAM/外部闪存/调试接口做后处理；

• iRAM 提取：如目标为片上 iRAM，可直接经调试接口转储。

工程提示：为避免启动过程“污染”保留数据，转储程序应早期加载、避免调用会使用目标 SRAM 的库/驱动，并关闭影响缓存的一切后台任务。

5 攻击为何可规模化生效（Enablers）

• SRAM 的普适性：从微控制器到服务器级处理器，任何具有“SRAM 与计算核分离供电域”的 SoC理论上都可诱导保持。

• 片上明文：与外部 DRAM 不同，商品处理器的 SRAM 很少启用加扰/加密，因此一旦访问即为明文。

• 分域供电对外暴露：为性能、能效与面积，SoC 厂商把子域供电引出，其中部分直接或通过网络连接到嵌入式 SRAM；只要探针维持高于保持电压，数据即保持无错。

• 缺省无全局清零：清空/失效不等于抹除；Cache 的 invalid 仅阻止命中，数据体仍在，在高特权级依然可读。

6 实验与结果

6.1 可访问比例

在裸机环境下预填充特定模式，测量启动阶段 CPU 对内部存储区的占用，从而估计重启后可被攻击者访问的比例。不同 SoC/目标内存类型差异显著，但在三平台上均验证到非零且稳定的可访问窗口。

6.2 成功提取与误码

与 DRAM 冷启动不同，Volt Boot 不依赖温度，且在保持电压满足时，SRAM 数据可无误跨电保持。误码主要来自探针瞬态与污染而非本征泄放。我们在 RPi3/4 的 L1 与 i.MX53 的 iRAM 上均实现了稳定提取。

6.3 可移植性与节点无关性

攻击与温度、制程节点无关；关键是分域供电结构与板级暴露点是否存在及可达。只要满足两点，方法即可移植到更广泛的 SoC 家族。

7 防护建议（芯片—板级—系统分层）

7.1 芯片级

• SRAM 上电自清零（强制清除）：在复位序列中加入硬件清零或按行覆盖；对大容量 SRAM，可使用并行清除/按域流水降低启动时延。

• Cache 真抹除：在上电阶段提供物理擦除路径，而非仅设置 invalid 位。

• SRAM 加扰/加密：为成本敏感平台提供轻量加扰（随机映射/按行 XOR）或域内加密（结合唯一芯片密钥）。

7.2 封装/板级

• 屏蔽或迁移测试点：降低域测试点可达性；

• 上拉/监测保持电流：检测异常的反向供电/维持电流；

• PMIC 策略：设计全局掉电路径，避免子域“借电”存活。

7.3 固件/系统

• 可信启动阶段的“早清零”：在 BL1/EL3 等最早阶段对目标区执行覆盖；

• 最小化引导污染：把日志/堆栈/中断向量等迁出目标 SRAM；

• 调试接口管控：限制高特权级对协处理器/系统寄存器的直接访问。

8 相关工作与比较

与经典冷启动相较，Volt Boot 的威胁面更贴近现实：无需低温、无需外设拔插、无需制程知识。与依赖缓存锁定或刷新时序的通道攻击不同，Volt Boot 直接获取明文数据体，对密钥搜索与取证更为直接。但其前置条件是可物理接触与板级注入点可达，且对安全封装与完备的上电清洁平台，攻击难度显著上升。

9 结论

电源域分离是现代 SoC 的工程事实，但它也为攻击者提供了在系统断电时选择性“保活”片上存储的通道。本文提出的 Volt Boot 证明：只要能在板级找到域电源的等效注入点并维持保持电压，就可以在无温控前提下稳定跨电保留并提取缓存/iRAM 等片上敏感数据。工程社区需要在芯片、封装/板级与固件多层次引入防护，把“清零即安全”从文档变成硬事实。

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