电子产品世界

• LFPAK56功率MOSFET具有一流的功率密度和电流额定值
• 非常适合高功率设计的恩智浦TO220/D2PAK封装系列是理想的解决方案
• 凭助SiC功率二极管实现一流的系统能效
• R_DS(on) 最低的LV PowerMOS，具有出类拔萃的电源ORing功能

功率MOSFET

• 低导通电阻Trench6功率MOSFET，可实现高能效并最大限度降低损耗
• 最低R_DS(on)，提供超低损耗电源ORing功能
• 小巧薄型的LFPAK56封装技术，实现可能最高的功率密度

PFC二极管(SiC)

• 现今的高端电源需要最佳的能效
• 恩智浦采用SiC技术的PFC功率二极管提供一流的能效

 

工业级电源

典型应用包括DIN导轨电源或高效且耐用电源等。根据功耗要求和外形尺寸需求，可以使用许多不同的拓扑结构。一种常用拓扑结构是具有功率因素校正（PFC）的交流供电全桥拓扑结构。
恩智浦提供可实现电源和控制模块寻址PFC、次级侧整流、电源ORing和反馈控制的合适产品。

功率因素校正

PFC是一种用于以自适应方式改变消耗电流波形的系统，旨在提高完整负载的功率因素。大多数实施都以开关模式实施的DC/DC升压类型为中心。与所有开关模式转换器一样，此类转换的效率也并非 100%。影响此类电路效率的一个关键元件就是升压二极管。为实现最佳效率，二极管应该具有低Vf和最小开关损耗。恩智浦提供采用碳化硅（SiC）技术的高端解决方案。SiC可提供零反向恢复电流，即使在高温条件下也是如此，从而确保实现最佳的系统转换效率。

次级侧整流器

在次级侧进行的传统整流使用二极管。但是，二极管固有的正向电压损失将会限制可实现的最大总系统效率。使用MOSFET替代这些二极管可显著提高总效率。基本系统架构包含次级侧控制器器件，该器件可在正确时间打开MOSFET。

电源ORing

任何要求冗余、计算总电源容量或选择多个来源的电源架构都可实施电源ORing功能。可通过功率二极管来实施ORing功能。二极管的正向电压损失将会限制可实现的整体效率。一种替代方案就是配备具有特殊控制器和功率MOSFET的系统来实现ORing功能。实现最佳效率的关键要求就是MOSFET的R_DS(on)，恩智浦提供理想的超低R_DS(on) MOSFET选择。