至信微2000V产品突破HV-HTRB/HV-H3TRB测试
在新能源、智能电网、轨道交通等高压应用场景加速发展的今天，碳化硅（SiC）功率器件凭借其高频、高效、耐高温等特性，正逐步成为产业升级的核心驱动力。然而，如何在高电压等级下实现器件的长期可靠运行，始终是行业的技术难点。
近日，至信微自主研发的2000V SiC MOSFET成功通过1600V HV-HTRB（高压高温反向偏压）与1600V HV-H3TRB（高压高温高湿反向偏压）两项严苛测试，标志着我司在高压碳化硅器件可靠性领域实现重大突破，达到行业领先水平。
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高压可靠性测试：SiC器件的“终极试炼”
在功率半导体领域，HV-HTRB与 HV-H3TRB是评估器件在高温、高湿和高电压等恶劣环境下长期可靠性的核心测试项目：
HV-HTRB：模拟器件在高温（175℃）和高反向电压下的持续工作状态，考验材料的耐压能力与结构稳定性；确保器件在实际应用中不会因高温和高电压而过早失效。
HV-H3TRB：在高温高湿高电压环境下施加反向偏压，验证器件在恶劣工况下的抗腐蚀与抗漏电性能；确保器件在高湿度、高温度和高电压的综合应力下仍能满足性能要求。
对于2000V这一超高电压等级，工艺技术难度呈指数级上升，主要体现在几个方面：
材料端: SiC虽耐高压，但2000V下电场集中效应会放大材料缺陷，导致局部击穿；
设计端: 需通过多层复合终端结构均匀分布电场，同时平衡导通损耗与动态特性；
工艺端: 钝化层质量控制、栅氧界面态密度（＜1×10¹⁰ cm⁻²·eV⁻¹）；
测试端：目前国内实验室的高压测试平台普遍限于1200V及以下，而1600V及以上的测试需要依赖海外高端实验室。
本次测试中，我们的2000V产品在1600V条件下顺利完成了HV-HTRB和HV-H3TRB两项关键可靠性测试。
其中，HV-HTRB测试在国际权威第三方实验室MA-tek进行，而由于国内目前尚无支持1600V及以上条件的HV-H3TRB测试平台，HV-H3TRB测试则在台湾MA-tek的1600V测试平台上完成。
整个测试过程严格遵循JESD22-A101和MIL-STD-750-1两项国际权威测试标准，历经1000小时的严苛考验，产品全程无失效，充分证明了至信微产品在超高电压领域的卓越可靠性和技术实力。
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行业赋能
此次至信微2000V产品通过HV-HTRB与HV-H3TRB测试，成功突破可靠性瓶颈，解锁高压电力系统“高效可信赖”运行密码，为产业提供三大核心推力：
高压场景落地：支撑新能源领域2000V级海上风电变流器、1500V储能系统直流侧应用，降低系统损耗15%以上；
高频高效替代：助力工业电机驱动、数据中心电源从硅基IGBT转向SiC方案，开关频率提升10倍，设备体积缩减40%；
国产自主闭环：填补国产超高压器件空白，推动车规级电驱系统、超充桩核心模块100%本土化供应，加速全球碳中和产业链重构。
此次2000V碳化硅MOSFET通过超高电压可靠性测试，标志着至信微电子在高电压功率器件领域实现关键技术突破。未来，我们将持续加码研发投入，深化器件性能优化与可靠性验证体系，加速碳化硅技术在智能电网、超高压储能等前沿场景的产业化渗透。
作为以创新为基因的第三代半导体企业，至信微电子已构建国内覆盖最全、自主可控的碳化硅功率器件生态：产品矩阵覆盖650V-3300V全电压谱系，导通电阻横跨5mΩ至5Ω，通过180余种型号规格精准匹配光伏逆变、新能源车电驱、工业电源等场景需求，致力于为全球客户提供高频高效、极致可靠的碳化硅解决方案
About Sicred
关于至信微电子
深圳至信微电子有限公司专注于第三代半导体技术的研发，拥有行业领先的设计能力和制造工艺。该公司率先在国内研发成功车规级碳化硅MOSFET，并已通过国内汽车客户的样品测试。拥有多位行业专家组成的技术团队，具备坚实的专业理论基础和丰富的实践经验，展现出高水平的研发能力和多年培养的产品可靠性质量意识，能够全面、持续、稳定地满足客户需求，提供符合高标准的产品和服务。
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