ABLIC推出面向智能手机、可穿戴设备的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」
美蓓亚三美株式会社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司(总裁:田中诚司,总部地址:东京都港区,下称“ABLIC”)今天推出使用N沟道MOSFET(※1)实现正端保护(※2)的1节电池保护IC「S-821A/1B系列」。
今天推出的新产品「S-821A/1B系列」是1节锂离子电池保护IC,具有以下特点:(1)通过将进行充放电控制的N沟道MOSFET配置在锂离子电池的正极侧(正端),实现切断电池正极侧电流路径的保护方式,同时,电池组侧和系统侧的共地为简化系统设计做出贡献。另外,由于内置有业界最高等级的3倍升压充电泵,所以N沟道MOSFET的驱动电压高,降低了N沟道MOSFET的导通电阻;(2)备有业界顶级精度的放电过电流保护(3段),能够在安全的领域切断异常电流;(3)过充电检测电压精度为±15mV,实现业界顶级的高精度化;(4)通过节电功能,在禁止电池放电的同时,将保护IC的消耗电流降低到最大50nA,将电池的消耗电流抑制为近乎于0;(5)通过将NTC热敏电阻与热敏电阻连接端子(TH端子)连接,能够实现过热保护功能。
(※1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor /金属氧化物半导体场效应晶体管)
(※2) 正端保护:在电池的正极侧与负载之间插入MOSFET,发生异常时通过关闭MOSFET来切断通电路径,保护电路及设备
Figure Example protection circuit using the S-821A Series
【主要特点】
1.实现N沟道正端保护
2.通过3段放电过电流保护,实现更高的安全性
3.过充电检测电压精度为±15mV,实现了业界顶级的高精度
4.通过节电功能可以抑制消耗电流
5. 通过连接NTC热敏电阻,实现过热保护功能
【应用案例】
锂离子可充电电池组、锂聚合物可充电电池组
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