三菱电机投资氧化镓功率半导体

嵌入式系统 时间:2024-04-03来源:集邦化合物半导体

3月26日,在三菱电机举办的主题为可持续发展倡议在线会议上,三菱电机宣布将对有望成为下一代半导体的氧化镓(Ga2O3)进行投资研发。与主要用于电动汽车(xEV)的碳化硅(SiC)功率半导体相比,三菱电机称这一布局是“为扩大更高电压的市场”。

三菱电机表示,2024年~2030年,公司将投入约9000亿日元(折合人民币约430亿元)用于碳化硅、氧化镓等下一代功率半导体、材料和产品的回收利用、可再生能源等绿色领域的研发。

据了解,2023年7月,该公司宣布已投资Novel Crystal Technology(NCT),后者是一家生产用于功率半导体的氧化镓衬底和外延片的公司。三菱电机的功率半导体设计和制造技术将与NCT的氧化镓晶圆技术相结合。

在这次会议上,三菱电机明确表示将投资并开始全面研发氧化镓功率半导体。与碳化硅和氮化镓(GaN)相比,氧化镓具有更高的带隙能量,在电力基础设施、可再生能源和铁路等需要特别高耐压的应用中很有前途。

三菱电机还在努力增加用于器件制造的碳化硅衬底的尺寸。2023年5月,公司宣布将与美国相干(Coherent)公司共同开发尺寸为8英寸(200mm)的碳化硅衬底。

在这次发布会上,三菱电机总裁Kei Urushima表示,联合开发将以"从Coherent接收衬底,采用我们的技术,然后将其返还给Coherent"的形式进行。

近年来三菱电机一直在向Coherent采购6英寸(150mm)碳化硅衬底。2023年10月,三菱电机和电装公司宣布将共同向从Coherent分拆出来的碳化硅业务公司各投资5亿美元,总计10亿美元(折合人民币约72亿元)。


关键词: 功率半导体 氧化镓

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