晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分

元件/连接器 时间:2022-05-18来源:网络

  晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启,不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启,也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要,小编根据所学及理解做如下总结,希望能给大家一些帮助。

一、晶闸管

  1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安

  2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率

  3、主要应用领域:整流、逆变、变频、斩波(直流-直流)

二、MOS(MOSFET)管

  1、作用:

  MOS管多被用作电子开关,用在控制回路中控制负载的通断。栅极有电容效应,即使断开了电源,栅极上可能仍保持着电压。

  2、特性:

  MOSFET高输入阻抗、驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。N沟道开启电压一般在2~4V;P沟道开启电压一般在-2~-4V。

  3、辨别NNOS、PMOS方法:

  借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道;若情况相反是P沟道。

  4、应用领域:

  步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源、新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机、交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车、绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器。

三、IGBT

  1、名称:绝缘栅双极型晶体管,是MOS管和三极管的结合体,主要作用是逆变和变频,俗称电力电子装置的“CPU”。

  2、特点:兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压降低。呈7大特性:1、80%IGBT带阻尼二极管,且可以替代不带阻尼管使用;2、可以理解为大功率三极管和场效应管组成,但不能简单代替使用;3、检测方式可以是蜂鸣档,也可以是二极管档位;4、继承了场效应管的高阻抗和三极管的高反压的优点,耐电压、耐电流,低功耗;5、应用范围管:电流10-3300A、电压600-6500V、工作频率10-30Kh;6、可做高速开关使用;7、启动电压低3V左右,饱和导通电压较高为5-15V。

  3、应用领域:非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  由于硬件条件不足、自身知识水平有限,可能有讲的不恰当之处,敬请各位多多指正!本人本着相互学习,共同进步的诚心,欢迎各位来电交流。

关键词: IGBT 晶体管 MOS管

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