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中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。

与IGBT^*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有传导损耗、开关损耗^*2小、耐温度变化等优势，作为能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车车载充电器以及DC/DC转换器等方面的应用日益广泛。

自2017年合作以来，臻驱科技和罗姆就采用SiC功率元器件的车载应用开发，展开了深入的技术交流。此次联合实验室的成立，旨在利用罗姆的SiC MOSFET^*3裸芯片和隔离型栅极驱动器，进行车载功率模块和逆变器的开发。今后，双方将进一步加速开发以SiC为中心的创新型电源解决方案。

臻驱科技董事长兼总经理 沈捷博士 表示，“碳化硅功率半导体模块在新能源汽车上的应用是接下来几年行业的大势所趋，加紧汇集全球资源、加快产业化研发、加速成熟碳化硅产品商业化落地将有效保证零部件厂商核心竞争力。臻驱科技自成立以来便得到罗姆的大力支持，臻驱愿借此次联合实验室东风，深化双方合作关系，协同共进。”

罗姆执行董事 功率元器件事业本部长 伊野和英博士 表示，“罗姆作为碳化硅元器件的领先厂商，提供领先业界的元器件技术和驱动IC等产品相结合的电源解决方案，且拥有傲人业绩，并针对xEV推动SiC的普及。在SiC功率元器件的技术开发方面，把握客户需求和市场动向是非常重要的要素。臻驱科技作为车载功率模块和逆变器厂商，在SiC应用研究方面发挥着重要的作用。罗姆希望通过成立联合实验室，加强双方的合作关系，凭借以SiC为核心的电源解决方案为汽车技术革新做出贡献。”

臻驱科技董事长兼总经理 沈捷博士（右）与罗姆半导体（上海）有限公司董事兼总经理 久保田进矢（左）在揭牌仪式上握手

＜术语解说＞

*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）

同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。

*2） 传导损耗、开关损耗

因元器件结构的缘故，MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时（ON状态时），受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时（开关动作时）产生的损耗。

*3) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的缩写）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。

关键词： MOSEFT SiC