国星光电子公司国星半导体荣获广东省技术发明一等奖

时间:2020-04-03来源:国星光电

全省科技创新大会上,国星光电再传喜讯:公司全资子公司国星半导体凭借“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”项目获得2019年度广东省技术发明一等奖。

据悉,获奖项目“Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及器件的界面调控技术”极大地提升了半导体材料的晶体质量和内量子效率,同时在芯片上突破了传统方法对器件影响较大,且不能适应柔性、轻质、高功率应用场合的问题,开发了一种界面保护机制的衬底剥离技术和键合技术,提高了GaN基化合物半导体器件的良品率,并进行产业化应用。为广东省在III-V族化合物半导体材料和器件领域奠定了优势地位,项目的整体成果已经达到了国际领先水平。

作为公司在外延芯片领域的重要战略布局,国星半导体围绕“技术高精尖化、市场国际化、生产规模化”三化战略部署,坚守“差异化发展战略”的初心,大力发展差异化、特色化、创新化的GaN芯片产品,拓展LED新蓝海,已形成蓝绿显屏芯片系列、家电数码芯片系列、高光效背光芯片系列、车灯用大功率倒装芯片系列、紫光芯片系列、Mini LED系列等六大芯片系列,并积极布局Micro LED、深紫外外延芯片、Si基GaN器件等全新的前瞻性技术领域。

经过多年发展,在广晟公司和国星光电的支持和领导下,国星半导体已成为全国知名品牌示范区骨干企业,同时企业通过了高新技术企业、广东省工程技术研发中心、省级企业技术中心、佛山市细分行业龙头企业、佛山市“专精特新”企业等荣誉认定,为广东省LED产业的高质量发展贡献力量。

关键词: 国星光电 半导体 一等奖

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