东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

汽车电子   作者:TOSHIBA 时间:2019-12-26来源:电子产品世界

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

image.png

MOSFET产品图

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用

汽车设备:电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性

东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装。

通过AEC-Q101认证。

低导通电阻:

●RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

●RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装。

主要规格

(除非另有说明,@Ta=25°C)

1577683124931142.png

注释

[1]截至2019年12月25日。

[2]在同样规格的产品中,截至2019年12月25日。东芝调查。

关键词: 电气系统 车载

加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号:电子产品世界

或用微信扫描左侧二维码

相关文章


用户评论

请文明上网,做现代文明人
验证码:
查看电脑版