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长鑫存储技术有限公司（CXMT）已经开始生产基于 19nm 工艺的计算机存储器，且该公司至少制定了两条以上的 10nm 级制程的路线图，计划在未来生产各种类型的动态随机存储器（DRAM）。为了提升产量，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂。作为中国制造 2025 项目的一部分，其有望支撑全球一半左右的 DRAM 需求。

目前长鑫存储的月产能约为 2 万片晶圆，但随着该公司订单量的增长，产量也将逐渐提升。预计到 2020 年底，其 10nm 级工艺技术的产能为 12 万片晶圆（12 英寸），媲美 SK 海力士在中国无锡的工厂。

CXMT 正在使用其 10G1 技术（19 nm 工艺）来制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存储器芯片，目标在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场，该技术将用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存储器。

从路线图来看，CXMT 还规划了针对 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工艺）产品。尽管目前尚无法撼动业内老牌竞争对手，但该公司相当重视创新工艺的研发和产能的扩张。

预计 CXMT 10G5 工艺将使用 HKMG 和气隙位线技术，并在远期使用柱状电容器、全能栅极晶体管、以及极紫外光刻（EUVL）工艺。

尽管该公司计划于 2019 年初开始生产 DDR4 内存，但新路线图已经推迟了一年。最后，该公司还计划再建两座 DRAM 晶圆厂。 

关键词： 存储器 19nm 长鑫