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据Anandtech报道，在美国当地时间8日举行的的英特尔投资者日上，首席执行官Bob Swan和总裁Murthy Renduchintala谈到了公司在制造能力方面的能力。英特尔在处理其工艺技术方面一直表现强劲，但其10nm工艺的延迟显然引发了多个问号，并且已经持续了好几年。这两位英特尔高管详细介绍了英特尔在此期间所做的工作，以及它如何从这些问题中吸取教训。

早在2013年，英特尔通过提供2.7倍密度，采用自对准四边形图形（SAQP），有源触点接触（COAG），Cobolt互连以及EMIB等新封装技术等新技术，设想其10纳米能够成功实现14纳米。和Foveros。英特尔承认这是一项雄心勃勃的计划，目标尚未与团队明确界定，最终过于复杂，无法以理想的方式进行管理。

最终将10nm推向了更晚的时间框架。在这种情况下，英特尔将10nm推向2019年（技术上他们在2017年以10nm的速度小批量发运了Cannon Lake，但这只不过是半导体时间线上的古玩），填补了14+和14 ++的空白。

自成立以来，Intels 14+和14 ++流程从流程中提取了超过20％的性能（从Broadwell到Whiskey Lake）。因此，英特尔不仅准备好为将来的节点内优化做好准备，而且实际上会调整路线图来弥补它。Murthy明确表示，英特尔希望在新流程开始时引入摩尔定律，并在流程结束时再获得类似的收益。

英特尔表示其10nm产品系列（Cannon Lake以外）将于今年年中（2019年）开始供货，Ice Lake将在客户平台（笔记本电脑）上推出。

英特尔将在2019年和2020年推出多款10nm产品，包括2020年上半年基于服务器的10nm产品：

在上面的幻灯片中，英特尔声称它将在生产中投入7纳米并在2021年推出一款产品。对于一家遇到10纳米问题的公司来说，这听起来非常激进。它甚至在Intels radmap中显示，10nm（和10+和10 ++）的生命周期比14nm系列工艺短得多。

考虑到这一点，英特尔的7纳米将成为英特尔从14纳米和10纳米系列产品中学到的东西的组合。英特尔希望进行2倍扩展（Moores Law），但计划中的节点内优化作为路线图的一部分。英特尔还在减少设计规则的数量，这有助于执行。7nm也将是英特尔与EUV交叉的地方，并且还将推出下一代Foveros和EMIB打包。

英特尔提供了这张幻灯片，其中显示了一个单片PC中心芯片，其中包含一个基于Foveros和EMIB的多芯片以数据为中心的芯片。这证实了我们与英特尔芯片和封装团队的讨论，他们还表示我们会在组合产品上看到Foveros和EMIB，特别是GPU。

英特尔宣布其7纳米领先产品（领先=顶级，或领先=第一？）将成为其新的GPGPU，基于Xe图形架构。英特尔表示，其Xe产品堆栈将具有两种不同的微体系结构，从移动客户端到GPGPU，其中一种架构称为Arctic Sound--技术上，英特尔将根据其新闻稿在2020年推出其首款独立GPU，但7nm GPGPU将将于2021年推出。

关键词： 英特尔 10nm