电子产品世界

　　随着汽车中电子系统数量的成倍增加，车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此，新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准，该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质，开关电源充斥着 EMI，并在整个汽车中“弥漫扩散”。如今，低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起，成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求，同时拥有紧凑的尺寸以及集成化 MOSFET 和高电流能力。

　　已获专利的* Silent Switcher 技术在高频、高功率电源中实现了令人印象深刻的 EMI 性能。作为这项技术的下一代，Silent Switcher 2 简化了电路板设计和制造，其所采取的方法是把热环路电容器纳入到封装中，因此 PCB 布局对于 EMI 的影响极小。

　　Silent Switcher 2 稳压器为 SOC 供电

　　当今 (及未来) 车辆上所使用的片内系统 (SOC) 器件与前几代同类产品几乎没有什么相似之处。信息娱乐系统和车辆安全系统之特性和功能的指数性增加迫切要求 SOC 处理数据的速度比过去提高几个数量级，包括以极少的延迟处理来自多个信号源的高分辨率视频数据。例如，倘若汽车的前置摄像头“看到”了某种危险，则汽车必须立刻做出响应，要么提醒驾驶者注意，要么刹车制动。为了满足最新的计算需求，SOC 在其封装中集成了越来越多的高耗电器件，可是，将怎样提供这些所需的功率呢? 在汽车中，功率输送方案必须具有高效、紧凑和低 EMI 的特点。SOC 增加的需求使得它们更难以满足。

　　比如，一个 R-Car H3 SOC 包含 8 个 ARM 内核、DSP、视频和图形处理器、以及辅助的支持器件。所有这些组件均需要可靠的电源，包括三个用于外设和辅助组件的电源轨 (5V、3.3V 和 1.8V)、两个用于 DDR3 和 LPDDR4 的电源轨 (1.2V 和 1.1V)、和另一个用于内核的电源轨 (0.8V)。

　　为了支持 SOC 所需的电流水平，具有外部 MOSFET 的开关电源控制器是优先于单片式电源器件的传统选择方案。单片式器件因其内部 MOSFET 最大限度缩减了成本和解决方案尺寸而引人注目，但是它们在传统上受限的电流能力和存在的热问题则通常限制了其使用。LT8650S 和一个新的单片式降压型 Silent Swicther 稳压器系列拥有支持 SOC 的电流能力和热管理特性。

　　由于具备高效率和热管理特性，因此 Power by Linear™ LT®8650S、LT8609S 和 LT8645S 的输出电流能力比典型单片式稳压器高得多。3V 至 42V (对于 LT8645S 则为 65V) 的输入电压范围涵盖了汽车电池的各种电量条件。这些单片式 IC 具有集成的 MOSFET，并能以高于 2MHz 的频率运行，因而缩减了解决方案尺寸和成本，同时避开了 AM 频段。Silent Switcher 稳压器专为最大限度降低 EMI 而设计，从而使其成为适合 SOC 的一种热门选择。

　　双输出：5V/4A 和 1V/4A

　　图 1 示出了一款双输出 (2MHz 5V/4A 和 1V/4A) 解决方案，其采用了 LT8650S 的两个通道。这款电路可容易地进行修改以适合其他的输出组合，包括诸如 3.3V 和 1.8V 或 3.3V 和 1.1V 等，以利用 LT8650S 的宽输入范围。LT8650S 还可用作第一级转换器，后随用于提供更多输出的各种较低功率第二级开关稳压器或 LDO 稳压器。

　　图 1：采用 LT8650S 两个通道的双输出 (5V/4A 和 1.0V/4A) 解决方案

　　LT8650S 运用了可消除 EMI 的 Silent Switcher 2 设计，具有集成的热环路电容器，旨在最大限度减小噪声天线尺寸。结合集成化 MOSFET，这实现了异常优越的 EMI 性能。

　　图 2：适合 SOC 应用的 4 相、3.3V/16A、2MHz 解决方案

　　适用于 SOC 的 16A 解决方案

　　图 2 示出了一款用于提供 SOC 电源的 3.3V/16A、四相解决方案。图 3 示出了辐射 EMI 测试结果。

　　图 3：图 2 所示解决方案的辐射 EMI 测试结果

　　另外，汽车 SOC 还对电源负载瞬态响应有着极高的要求。外设电源的负载电流转换速率达到 100A/µs (内核电源则更高) 的情况并不少见。无论负载的变化情况如何，电源都必须最大限度减小输出电压瞬变。快速开关频率 (比如 LT8650S 系列能达到 2MHz) 有助于加快瞬变恢复的速度。在采用正确环路补偿的情况下，较快的开关频率对应于较快的动态响应。图 2 给出了适合的组件值。在电路板布局中，应尽量地减小从电路的输出电容器至负载的走线电感，这一点也是至关紧要的。图 4 给出了图 2 所示解决方案的瞬态测试结果。

　　图 4：图 2 所示解决方案的负载瞬态响应

　　针对较低功率应用的高效率、紧凑型解决方案

　　除了诸如 SOC 和 CPU 等低电压、高电流应用之外，汽车和其他车辆还需要用于众多低电流负载的电源，例如：仪表板、平视显示器、车联网 (V2X)、传感器、USB 充电器，等等。

　　由于可用空间和电池电量受限，因此对于电源转换器来说，高效率和小解决方案尺寸是最重要的要求。低噪声是前提条件。LT8609S 是一款针对所有这些应用的合适解决方案。该器件设计了针对汽车电池条件的 3V 至 42V 输入电压范围。集成的 MOSFET、内置的补偿电路和 2MHz 的工作频率最大限度减小了 LT8609S 解决方案尺寸。在 LT8609S 中运用了 Silent Switcher 2 技术和集成型热环路电容器，以尽量地降低噪声电平并提供优异的效率指标以及卓越的 EMI 性能。图 5 示出了采用 LT8609S 的 2MHz、5V/2A 应用。

　　图 5：采用 LT8609S 的 2MHz 5V/2A 应用

　　图 6 示出了一款安置在两层电路板上的完整 LT8609S 稳压器。LT8609S 的集成型 MOSFET 和内置补偿电路把组件数目减少为器件本身和少量的外部组件。再加上高速开关频率，该典型应用的核心解决方案总体尺寸仅为 11.5mm x 12.3mm。

　　图 6：LT8609S 两层电路板的小解决方案尺寸

　　降低解决方案成本的一种方法是尽量减少所需的 PCB 层数，但是这需要以牺牲性能为代价是可以预料到的。例如，就所实现的 EMI 性能而言，两层电路板解决方案与四层电路板解决方案预计是不等同的。图 7 中的 EMI 测试结果显示：采用两层电路板的 LT8609S 可满足 CISPR 25 Class 5 EMI 辐射限制要求。对采用两层和四层电路板的等效解决方案之 EMI 性能进行了比较。

　　图 7：(a) 采用一块两层电路板的 LT8609S 之平均辐射 EMI 测试结果显示了在启用扩展频谱频率调制功能时以进一步降低 EMI 的情况。(b) 装有 LT8609S 的两层和四层电路板的峰值辐射 EMI 性能比较。

关键词： MOSFET LT8650S