中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

网络与存储 时间:2018-08-10来源:参考消息

  报道称,YMTC此次公开的NAND当中,32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。半导体业界认为,企业技术水平上,韩国比中国领先3年。

  报道称,YMTC透露,新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking,有效提高了数据处理速度。

  报道称,YMTC计划先在位于武汉的工厂进行生产,后将在南京建厂,从明年开始提高产量。中国的NAND进入市场已成为不可阻挡的趋势,市场调查机构预测认为,NAND价格到明年将持续下降。

  报道称,中国政府为2025年内存半导体自给率提高至70%,已投入资金达1000亿美元。

  报道称,业界人士表示:“中国企业先攻占电脑等低价产品市场,日后将进入服务器等高价产品市场。”

  韩企积极扩大投资留住人才

  报道称,韩国两大半导体生产商三星电子和SK海力士为应对中国企业的崛起,正积极扩大投资规模和努力留住人才。三星电子在京畿道平泽半导体工厂开始建第二生产线,计划投资30兆韩币(约为1825亿元人民币)。SK海力士也决定在京畿道利川新建M16工厂,计划投资15兆韩元(约为914亿元人民币)。

  报道称,韩国企业也积极开展留住人才的工作,这是为了阻止中国企业以天文数字年薪挖走韩国企业半导体人才。近日,三星显示器起诉中国BOE子公司挖走的员工,韩国水原地方法院对该员工判转职禁止处分,如有违背,向三星显示器每天交纳1000万韩币(约为6万元人民币)。

关键词: 内存 芯片

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