新兴封装技术:小型化趋势永无止境

模拟技术 时间:2016-05-10来源:eettaiwan

编者按:新兴封装技术的出现,主要的驱动力量就来自于永无止境地追求更轻薄短小的智慧型手机。

  从MCM、ECP到2.5D的TSV等持续整合电子元件于更小封装的创新技术出现,主要的驱动力量就来自于永无止境地追求更轻薄短小的智慧型手机。TechInsights探讨半导体封装整合的创新能力,同时预测新上市的三星Galaxy S7和iPhone SE。

  半导体产业持续整合电子元件于更小封装的创新能力,不断缔造出令人赞叹的成果。我很早就是一个业余的爱好者,曾经将封装于T-05金属罐的电晶体布线开发板上。这些分离式的电晶体后来已经被早期“电晶体—电晶体逻辑电路”(TTL)晶片中所用的8接脚DiP封装取代了。

  一 眨眼几十年过去了,封装整合技术的进展令人印象深刻。例如,图1显示从苹果(Apple) iPhone 5s智慧型手机拆解而来的村田(Murata)天线开关。其封装尺寸为3.7mm x 6.0mm,内含6个SAW滤波器、Peregrine天线开关、功率放大器,以及一系列分离式电晶体与电容器的组合。

  这些元件都安装在类似FR4的电路板上,然后用模塑材料封装起来,形成完整的多晶片模组(MCM)。



  图1:Murata的天线开关模组(封装模塑材料已移除)

  但这并不是元件整合于封装中的唯一方式。从几年前开始,我们看到嵌入式电容器层叠封装(PoP)于应用处理器中。这种嵌入式元件封装(ECP)技术还只是先进系统级封装(SiP)解决方案使用的几种竞争策略之一。

  图 2是Apple协同封装A9处理器和记忆体(PoP)的照片,右侧X光影像图则显示封装基板上的嵌入式电容器。左图上方可看到APL1022的封装标识, 显示这款晶片是台积电(TSMC)制造的A9处理器。当然,大家都知道三星(Samsung)也为Apple供应另一款A9晶片。



  图2:Apple以PoP封装的处理器与记忆体(左)与X-ray封装图(右)

  图3是Apple A9基板其中一款嵌入式电容器的扫描式电子显微镜(SEM)横截面图。该基板包含底层、中间层与顶层。我们猜测中间层经过冲压过程,从而为电容器形成腔室。

  底层与顶层是以交错金属走线和电介质的方式层层堆垒起来。连接至电容器的触点可能被制造为1st与2nd铜走线形成的一部份,并以雷射钻孔方式穿过树脂封装的电容器进行过孔。填充这些过孔成为铜金属化的一部份。

  在FR4基板嵌入电容器,并紧靠着A9处理器排放,这么做的目的可能是为了减少A9密集开关电晶体而产生的电杂讯。



  图3:Apple A9晶片封装横截面

  TDK将晶片嵌入于其蓝牙模组基板中,使得元件嵌入过程则更进一步进展。该晶片位于图4嵌入FR4基板的32KHz晶体振荡器之下,因此无法直接看到,但可透过图5的封装图看到。



  图4:TDK蓝牙模组

  图 5是TDK封装基板的SEM横截面图,显示嵌入式蓝牙晶片的一部份以及连接至FR4顶层铜走线的铜带。图片左侧的大型过孔表示采用2阶段蚀刻进行过孔,例 如采用雷射钻孔。第一次雷射钻孔在晶片上形成过孔开口,以暴露其焊垫,并打开FR4层过孔较宽的上层部份。第二次雷射钻孔步骤则完成深层的过孔开口,以接 触至FR4层上的铜走线。



  图5:TDK蓝牙模组横截面

  至于制造模组的顺序,图6提供了更多的线索。从图中可看到在晶片与第一层FR4之间沿着第一层填充树脂表面的细缝。在晶片下方未另外连接晶片附加层,显示该晶片在树脂仍是液体形式时即已固定至玻璃填充树脂。

  我们猜测其步骤是先凝固第1层树脂,接着沈积封装晶片的第2层玻璃填充树脂。此时进行上述的雷射钻孔过孔,接着可能是以电沈积铜走线、第3层填充树脂,最后连接第2层结构。



  图6:TDK T2541蓝牙模组横截面

  讨 论封装技术时当然也不容错过2.5D 与矽穿孔(TSV)封装整合,例如AMD的Fury X绘图卡。图7显示在其2.5D整合方案中的GPU覆晶封装至晶片中介层,周围并围绕4个海力士(Hynix)高频宽记忆体(HBM) DRAM模组。该HBM模组利用中介层表面顶部形成的铜互连以电连接至GPU。



  图7:AMD Fury X GPU

  图8是AMD Fury X GPU的封装横截面图,显示连接至矽中介层与底层FR4基板的Hynix HBM模组部份。AMD GPU也以覆晶封装至相同的中介层,但连接至HBM右侧(超出此图范围之外)。矽中介层连同4个HBM模组与GPU依次嵌入于FR4基板上。



  图8:AMD Fury X封装横截面

  图9可以看到用于连接HBM模组至FR4基板与GPU的铜走线,这些都是使用传统65nm双金属镶嵌制程形成的。我们还可以看到用于连接中介层至FR4基板的铜填充TSV。



  图9:矽中介层与铜互连

  本文简要地介绍了三种主要的封装整合方案:多晶片模组(MCM)、嵌入式元件封装(ECP)以及 2.5D的TSV封装。这些方案都是针对需要提高封装整合度的理想解决方案。

  如今,业界盛传Apple将为即将推出的iPhone 7取消耳机孔,目的就是为了打造更纤薄的手机。然而我们并不确定元件制造商将会采用哪一种封装技术来搭配。iPhone 7预计要到今年九月才会发布,这漫长的等待时间怎不教人心急?

关键词: 封装 TSV

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