开关电源设计中MOSFET驱动技术详解
-wrap: break-word; text-indent: 2em; line-height: 24px; ">红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大，MOS的导通速度越慢。
下图是电流波形
红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大，MOS的导通速度越慢。
可以看到，驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度，对EMI有好处。下图是对两个不同驱动情况下，MOS的DS电压波形做付利叶分析得到
红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见，驱动电阻大的时候，高频谐波明显变小
但是驱动速度慢，又有什么坏处呢？那就是开关损耗大了，下图是不同驱动电阻下，导通损耗的功率曲线。
红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见，驱动电阻大的时候，损耗明显大了。
结论：驱动电阻到底选多大？还真难讲，小了EMI不好；大了效率不好。所以只能一个折中的选择了。
那如果，开通和关断的速度要分别调节，怎么办？就用以下电路。
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