ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作
在本章开始之前，我们先来看下ARM11S3C6410内部结构：
在图中，我们看到ARM11S3C6410内存部分有SRAM、SDRAM、DDR和NANDflash几种类型，关于这几种内存之间的联系可参考ARM11s3c6410系列教程之三内存使用的介绍。从以上几节的介绍可以看出，若ARM11S3C6410设置为NANDflash启动，则NANDflash作为程序暂时储存的场所，我们不能不认真的理解下NANDflash的操作。
在硬件上，使能 NAND Flash时， XSELNAND需保持为高电平，也就是AB16为高电平。
在NAND Flash 控制器图解如下图所示：
在图解中我们可以看出NAND Flash控制器片选信号、命令信号，地址信号，读信号、写信号、空闲/繁忙管脚和8个数据管脚组成，这大大方便了NANDflash的使用和控制。
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