功率半导体的革命：SiC与GaN的共舞（二）
0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/25px 宋体, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; webkit-text-size-adjust: auto; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-stroke-width: 0px"> 注2）此次试制的晶体管进行外延层生长时采用了MBE法。
首先从制造MOSFET开始
Ga2O3中隐藏着巨大的潜力，但研发的全面目前才刚刚开始。试制出的晶体管不仅耐压、输出电流及电流的导通/截止比都还达不到要求，漏电流也较大，而且还存在常闭工作等课题注3）。但“与采用GaN的功率元件的开发初期相比，估计解决课题所花费的时间会较短。目前已找到形成保护膜等解决问题的头绪”（NICT的东胁）。
注3）此外，还存在难以制成p型晶体管的课题，但功率元件使用的是n型，所以问题不大。
据NICT介绍，当前的目标是在2015年之前利用Ga2O3制造出口径为4英寸的基板和MOSFET，2020年的目标是开始作为功率元件进行小规模量产。
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