JGD24-5固体式限时保护继电器的设计方案
style="PADDING-RIGHT: 0px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/24px 宋体, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 2em; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); webkit-text-size-adjust: auto; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-stroke-width: 0px"> 限时保护继电器在关断时产生的干扰电压峰值较高， 因此， 在输出电路中增加吸收电路对功率场效应管Q1 进行保护， 本电路中采用VRC 吸收电路。其中， V12 为快恢复二极， 管R15 为功率电阻， C6 为高频无感电容。Q1 导通时， V12 反偏，C6 通过R15 放电， R 消耗能量并限制放电电流；Q1 关断时， C6 通过V12 吸收干扰电压， 使Q1 的尖峰电压不会过高。
Q1 在关断时产生的干扰电压较高， 可由下式进行计算：
式中， Vcep为集-射极间的尖峰电压， 单位为V; Vcc为负载电源电压， 单位为V; L 为主电路和引线电路电感之和， 单位为H; di/dt 为MOSFET集电极电流变化速率， 单位为A/s.
由此可见， 在大电流、关断速度很快时， 尖峰更大。因此， 在输出电路中增加吸收电路对MOSFET进行保护。VRC 吸收电路中R、C 由下式进行计算：
4 结束语
本文介绍了固体式限时保护继电器的电路设计， 并详细介绍了输入电路设计、延时滤波电路设计、限时保护电路设计、隔离电路设计、驱动电路设计、串联输出电路设计， 并经过技术攻关， 研制出JGD24 -5 型固体式限时保护继电器。经试验验证， 其各项技术指标均达到了该方案的设计要求。
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