基于峰值控制的IGBT串联均压技术
图3为实验电路，三相交流电源经隔离变压器、不控整流器得到0～1 kV可调直流电源Udc。Cd1，Cd2为滤波电容，Rd1，Rd2为Cd1，Cd2放电电阻。电路采用两个IGBT串联模块。一个模块做串联开关管V1，V2，另一个模块始终关断。利用其反并联二极管形成续流回路。驱动脉冲频率100 Hz，占空比0．01，由TMS320F28335发出，经驱动电路控制IGBT。驱动芯片为M57962L。Z1，Z2为1N5378B，1N5363B串联构成。均压电路参数：Z1为100 V，Z2为330 V；C=2．2 nF；R1=24 Ω，R2=1．5 kΩ。
图4为无均压电路时串联IGBT uCE波形。可见，在T1阶段，由于关断延时和关断速率不同，造成串联IGBT的uCE不均压。在T2阶段，由于串联IGBT拖尾电流不等，造成串联IGBT不均压。加入均压电路后，如图5b所示，在第1个箝位点实现了uCE波形两阶段的电压变化率控制；在第2个箝位点实现了峰值控制。均压电路对拖尾电流引起的不均压和关断稳态不均压都有显著控制效果。验证了稳压管箝位峰值控制均压原理的有效性。
当串联单个IGBT承受电压较高时，电路中稳压二极管需串联。由于稳压二极管增多导致可靠性降低，其在高压大功率场合的使用受到限制。
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