电子产品世界

　　实现顶级^[1]低导通电阻性能

　　东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出第四代超级结MOSFET “DTMOS IV”系列650V器件。作为该系列的首款产品，“TK14A65W”已经推出，并计划于2013年8月全面投入量产。

　　该系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(Ron•A)较现有的650V “DTMOS II”系列产品约降低了50%^[2]，这就使之能够采用紧凑封装，有助于提高功效，缩小产品的集成尺寸。

　　主要规格

产品型号	封装	绝对最大额定值		RDS（ON） 最大值（Ω）	Qg 标准值 （nC）	Ciss 标准值 （pF）
		VDSS（V）	ID（A）	VGS=10V
TK14A65W	TO-220SIS	650	13.7	0.25	35	1300

　　注：

　　[1] 截至2013年7月。东芝公司的研究。
　　[2] 与“TK17A65U”对比。

关键词： 东芝 DTMOS