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承受30kV的接触放电电压(IEC61000-4-2)。对于这种应用来说，8/20μs的性能很关键。在这种情况下，为了保护充电器芯片，二极管将吸收27A的峰值脉冲电流(IPP)到GND。这意味着，到达插座和USB充电器的浪涌电流可能达27A，这个电流将被GND吸收，而不会损坏TVS二极管或充电电路。充电器芯片见到的电压在遭受浪涌期间(数十毫秒)不会超过18.5V，因此不会对芯片的完整性造成影响。总的峰值脉冲功率约500W。

如果出于任何理由，将TVS二极管连接到VBAT或另外一条永久偏置线，那么TVS二极管的漏电流必须非常低。这种解决方案的漏电流为0.5μA时可以满足便携式设备的要求。

最后，解决方案的占位面积必须非常小，以便在已经集成了许多功能和许多芯片的PCB上得以实现。ESDA8V2-1MX2采用1.0mmx1.45mm的微型QFN封装，最大厚度只有0.6mm。