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TH: 0px; MAX-WIDTH: 90%; BORDER-RIGHT-WIDTH: 0px; border-image: initial" height=26 alt=公式 src="http://www.elecfans.com/uploads/allimg/111019/1134143Q2-3.jpg" width=24>

为与静电势ψ(y)相关的栅电流，IG的雅可比矩阵，Gψ(x，x1)为氧化层x1处的单位电荷在氧化层x处的电势ψ(x)的格林函数。

　　氧化层中的陷阱可发射载流子至沟道或从沟道中俘获载流子。对于近二氧化硅/多晶硅界面捕获的载流子，若其再发射，进入多晶硅栅，应用朗之万方程，假定产生几率不受再发射过程的影响，则单位体积内占据陷阱数量涨落的谱密度为

　　

　　其中，

　　

　　由BSIM4提出的简易MOS模型的栅极电流分量模型

　　

　　其中，JG是栅极电流密度，L是沟道长度，W是沟道宽度，x是沿沟道的位置(源极处x=0，漏极处x=L)，IGS和IGD是栅极电流的栅/源和栅/漏分量。通过线性化栅电流密度与位置的关系，简化这些等价噪声电流分析表达式，所得的总栅极电流噪声表达式为

　　

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