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施密特触发电路 NAND 栅极（U1c、U1d）实现先断后通功能，以避免 MOSFET 导通阶段交叠。其他两个NAND门（U2c，U2d）配置为反相缓冲器，从而产生驱动 N 通道 MOSFET（Q1、Q2）必需的正确信号极性。图 3 显示了完整的先断后通动作。为了适应标准逻辑门的有限驱动能力，我们选择了 MOSFET，因为其较低的总电荷和较短的响应时间。

图 3 先断后通波形

隔离变压器 (T1) 拥有 2：1 的次级对初级匝数比、0.9 mH 的初级线圈电感，以及 3kV 的保证隔离电压。图 4 显示了变压器的输入和输出波形。

图 4 变压器波形

两个二极管（D1、D2）均为快速肖特基整流器，在满负载电流条件下（200 mA 时 VFW 0.4 V）提供低正向电压的同时进行全波整流。从这些二极管后面的降压电容器 (Cb3) 直接获得输出电压是可能的。这种情况下，输出不稳定，但具有 DC/DC 转换器的最大效率。然而，设计人员必须保证不超出受影响电路的最大电源电压，其在低负载或开路状态下时较容易发生。如果最小负载条件下的非稳定输出电压过高，则必需在全波整流器之后使用一个线性稳压器，以提供稳定的输出电源电压。

线性稳压器的主要好处是低纹波输出。其他好处还包括短路保护和超温关闭。但是，主要缺点是效率非常低。

关键词： 转换器 分立 设计 DC/DC 5V 隔离 3.3V 成本