DS2433设计转变为DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
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| 注5： | Copy Scratchpad需要最长5ms的时间，期间1-Wire总线电压不得低于2.8V。 |
摘自DS24B33数据资料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| 注18： | EEPROM编程期间从IO吸收的电流。IO上拉电路应使IO电压在编程期间大于或等于VPUPMIN。如果系统中的VPUP接近于VPUPMIN，则可能需要增加一个RPUP低阻旁路，编程期间将其激活。 |
影响：DS2433数据资料仅规定了典型值；DS24B33则规定了最大编程电流。为确保满足2.8V最小值要求，需要知道最大编程电流。如果上拉电压接近其指标下限，满足最小电压要求尤其重要。例如：为了在5V环境下满足2.8V最小值要求，上拉电阻必须为RPUP≤ (5.0V - 2.8V)/2mA = 1100Ω。
措施：如果对DS24B33进行写操作，则检查是否满足2.8V最低电压工作条件(VPUPMIN)，以获得最大编程电流。尤其对于接近3.3V的VPUP，上拉电阻需要一个可切换的低阻旁路，详细信息请参考应用笔记4255：“为1-Wire®器件的扩展功能供电”，或应用笔记4206：“为嵌入式应用选择合适的1-Wire®主机”。
- 输入负载电流
说明：该参数规定在没有通信操作时，1-Wire从器件从1-Wire总线吸收的电流。此时，寄生电源已完全充满。不同器件之间的输入负载电流不同。输入负载电流产生的上拉电阻压降计算公式为：ΔV = RPUP× IL。
摘自DS2433数据资料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS NOTES IL 5 µA 4 注4： 输入负载至地。
摘自DS24B33数据资料SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS NOTES IL IO at VPUPMAX 0.05 5 µA 注4： 输入负载至地。
影响：DS2433数据资料仅规定了典型值。DS24B33数据资料规定了最小值和最大值。
措施：由于最大值与DS2433典型值相同，该参数完全兼容于DS2433应用，无需采取措施。 - 输入电容
说明：该参数规定1-Wire器件寄生电源的电容值，通常，该数值为600pF至800pF。如果寄生电源完全放电，则需要一定的空闲时间重新充电补充能量，使1-Wire做好通信准备。器件上电时，通常具有足够的空闲时间。正常工作期间，只为部分寄生电容重新充电。
摘自DS2433数据资料1 2 3 4 5 6 7 
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