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　　联电日前调高资本支出，25日董事会正式通过2010年资本支出追加计画，2010年总预算调高至18.19亿美元，主要用以扩充12寸与8寸厂产能。

　　联电原订2010年资本支出为12亿~15亿美元，执行长孙世伟在8月初法人说明会中即宣布，将资本支出调高至18亿美元。

　　孙世伟日前指出，2010年资本支出将有高达87%用以扩充12寸厂产能，13%资金用以扩充8寸厂产能。目前机台采购与装置进度顺利，新加坡 Fab12i厂大幅建置65/55奈米产能以服务客户，在台南科学园区 Fab12A厂的第3期无尘室已于7月提前竣工并全力进行机台移入，预计在年底前开始产出，2011年将可加速贡献 40奈米营收。

　　台积电日前宣布将2010年资本支出由原订的48亿美元，调升到59亿美元，其中58亿美元用于投资晶圆厂，而当中的79%用来扩充65奈米、40奈米及28奈米制程，13%用来投资超越摩尔定律(More-than-Moore)的新制程技术，另外8%用于研发;另外1亿美元将用来投资新事业。

　　台积电在日前董事会也通过资本支出案，会中核准投入19.72亿美元，扩充12寸厂先进制程产能。台积电目前有晶圆12厂(Fab12)与南科晶圆14厂 (Fab14)此2座超大型晶圆厂，合计月产能产能已超过20万片约当12寸晶圆，预计年底将扩充至24万片。另外也通过以3.19亿美元预算，投入 LED及薄膜太阳能模块新事业发展;另外也通过投入19.72亿美元扩充12寸厂产能。

关键词： 联电 晶圆 65纳米